HongRuiXing (Hubei) Electronics Co.,Ltd.
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Fabricación del substrato de IC de la microelectrónica
El otro substrato ultrafino

Fabricación del substrato de IC de la microelectrónica
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
Contacta ahora
Fabricación de empaquetado del substrato de IC del semiconductor de BT
El otro substrato ultrafino

Fabricación de empaquetado del substrato de IC del semiconductor de BT
Capacidad de la fuente：30000M2/ mes
MOQ：10 metros cuadrados
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Producción del substrato del paquete de la memoria de Flash/NAND
El otro substrato ultrafino

Producción del substrato del paquete de la memoria de Flash/NAND
Capacidad de la fuente：mes 50000sqm/
MOQ：1000pieces
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Fabricación de múltiples capas del substrato del paquete del semiconductor de los materiales de BT
El otro substrato ultrafino

Fabricación de múltiples capas del substrato del paquete del semiconductor de los materiales de BT
Capacidad de la fuente：mes 50000sqm/
MOQ：1000pieces
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Apoyo de la fabricación del paquete del ic de los sensores del Cmos
El otro substrato ultrafino

Apoyo de la fabricación del paquete del ic de los sensores del Cmos
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Apoyo de la fabricación del substrato de MiniLED
El otro substrato ultrafino

Apoyo de la fabricación del substrato de MiniLED
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MiniLED
Substrato de BGA

Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MiniLED
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MniLED
El otro substrato ultrafino

Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MniLED
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Enchufe lleno de la resina del substrato del paquete del grueso BGA de Horexs 0.2m m todos los agujeros y galjanoplastia del casquillo
Substrato de BGA

Enchufe lleno de la resina del substrato del paquete del grueso BGA de Horexs 0.2m m todos los agujeros y galjanoplastia del casquillo
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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0.28m m acabaron la fabricación sin plomo del substrato del chip de memoria
Substrato de BGA

0.28m m acabaron la fabricación sin plomo del substrato del chip de memoria
Capacidad de la fuente：mes 50000sqm/
MOQ：100pieces
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Apoyo de la fabricación del substrato del paquete del ic del microprocesador del LED
El otro substrato ultrafino

Apoyo de la fabricación del substrato del paquete del ic del microprocesador del LED
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Continente de empaquetado de China del substrato del semiconductor del ODM del OEM
Substrato de BGA

Continente de empaquetado de China del substrato del semiconductor del ODM del OEM
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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substrato de empaquetado de la microelectrónica del substrato del montaje del semiconductor del grueso de 0.2m m
Substrato de BGA

substrato de empaquetado de la microelectrónica del substrato del montaje del semiconductor del grueso de 0.2m m
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del módulo de RF/Wireless/5G IC
Substrato de BGA

Fabricación del substrato del módulo de RF/Wireless/5G IC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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fabricación del substrato del paquete de la microelectrónica
Substrato de BGA

fabricación del substrato del paquete de la microelectrónica
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Substrato del paquete del ic del semiconductor de HOREXS con Chip Wire Bonding
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete del ic del semiconductor de HOREXS con Chip Wire Bonding
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
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Substrato del paquete de BGA IC con el material plateado casquillo de MGC BT
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete de BGA IC con el material plateado casquillo de MGC BT
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
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Substrato del paquete de IC de la vinculación del oro del ODM del OEM 4 capas
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete de IC de la vinculación del oro del ODM del OEM 4 capas
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
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0.2m m fabricación del substrato de la tarjeta de memoria de 2 capas para Capsulation
Substrato del paquete de IC

0.2m m fabricación del substrato de la tarjeta de memoria de 2 capas para Capsulation
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Apoyo de la producción del substrato del paquete de Hitachi BT IC
Substrato del paquete de IC

Apoyo de la producción del substrato del paquete de Hitachi BT IC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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