HongRuiXing (Hubei) Electronics Co.,Ltd.
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Substrato del paquete del ic del semiconductor de HOREXS con Chip Wire Bonding
Venta en caliente!
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete del ic del semiconductor de HOREXS con Chip Wire Bonding
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
Contacta ahora
Substrato del paquete de BGA IC con el material plateado casquillo de MGC BT
Venta en caliente!
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete de BGA IC con el material plateado casquillo de MGC BT
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
Contacta ahora
Substrato del paquete de IC de la vinculación del oro del ODM del OEM 4 capas
Venta en caliente!
Substrato del paquete de IC

Substrato del paquete de IC de la vinculación del oro del ODM del OEM 4 capas
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：Muestra o producción en masa
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0.2m m fabricación del substrato de la tarjeta de memoria de 2 capas para Capsulation
Substrato del paquete de IC

0.2m m fabricación del substrato de la tarjeta de memoria de 2 capas para Capsulation
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Apoyo de la producción del substrato del paquete de Hitachi BT IC
Substrato del paquete de IC

Apoyo de la producción del substrato del paquete de Hitachi BT IC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del paquete de AUS308 PSR IC
Substrato del paquete de IC

Fabricación del substrato del paquete de AUS308 PSR IC
Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/
MOQ：1000pieces
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Fabricación de empaquetado del substrato de la precisión 0.15m m IC
Substrato del paquete de IC

Fabricación de empaquetado del substrato de la precisión 0.15m m IC
Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/
MOQ：1000pieces
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substrato del paquete de asamblea de 0.15m m IC para el paquete del semiconductor
Substrato del paquete de IC

substrato del paquete de asamblea de 0.15m m IC para el paquete del semiconductor
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1000pieces
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Fabricación material del substrato de BT de la marca de Hitachi
Substrato del paquete de IC

Fabricación material del substrato de BT de la marca de Hitachi
Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/
MOQ：1000pieces
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el aumento 4L mecanografía a 0.8m m el oro el substrato superficial del paquete de IC
Substrato del paquete de IC

el aumento 4L mecanografía a 0.8m m el oro el substrato superficial del paquete de IC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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PWB multi ultra fino de la capa FR4 de la tarjeta de memoria para la encapsulación
Substrato del paquete de IC

PWB multi ultra fino de la capa FR4 de la tarjeta de memoria para la encapsulación
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación de múltiples capas brillante del substrato del oro 0.2m m con AUS308 PSR
Substrato del paquete de IC

Fabricación de múltiples capas brillante del substrato del oro 0.2m m con AUS308 PSR
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación estándar del substrato del paquete de IC del eMCP de JEDEC
Substrato del paquete de IC

Fabricación estándar del substrato del paquete de IC del eMCP de JEDEC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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PWB del substrato del paquete de IC del eMMC
Substrato del paquete de IC

PWB del substrato del paquete de IC del eMMC
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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PWB del substrato del paquete de RDA IC
Substrato del paquete de IC

PWB del substrato del paquete de RDA IC
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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PWB del substrato del paquete de IC del almacenamiento
Substrato del paquete de IC

PWB del substrato del paquete de IC del almacenamiento
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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ENEPIG que platea la fabricación del substrato del paquete del ic
Substrato del paquete de IC

ENEPIG que platea la fabricación del substrato del paquete del ic
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Material de BT del substrato del paquete de IC de la COPITA del proceso 25um de Tenting 4 capas
Substrato del paquete de IC

Material de BT del substrato del paquete de IC de la COPITA del proceso 25um de Tenting 4 capas
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Tipos de la acumulación del cobre del substrato 12um del paquete del semiconductor
Substrato del paquete de IC

Tipos de la acumulación del cobre del substrato 12um del paquete del semiconductor
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Substrato de empaquetado del Ic de la memoria de NAND/FLASH
Substrato del paquete de IC

Substrato de empaquetado del Ic de la memoria de NAND/FLASH
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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