HongRuiXing (Hubei) Electronics Co.,Ltd.
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Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MiniLED
Venta en caliente!
Substrato de BGA

Fabricación del substrato del paquete de MicroLED/MiniLED
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
Contacta ahora
Enchufe lleno de la resina del substrato del paquete del grueso BGA de Horexs 0.2m m todos los agujeros y galjanoplastia del casquillo
Venta en caliente!
Substrato de BGA

Enchufe lleno de la resina del substrato del paquete del grueso BGA de Horexs 0.2m m todos los agujeros y galjanoplastia del casquillo
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
Contacta ahora
0.28m m acabaron la fabricación sin plomo del substrato del chip de memoria
Venta en caliente!
Substrato de BGA

0.28m m acabaron la fabricación sin plomo del substrato del chip de memoria
Capacidad de la fuente：mes 50000sqm/
MOQ：100pieces
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Continente de empaquetado de China del substrato del semiconductor del ODM del OEM
Substrato de BGA

Continente de empaquetado de China del substrato del semiconductor del ODM del OEM
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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substrato de empaquetado de la microelectrónica del substrato del montaje del semiconductor del grueso de 0.2m m
Substrato de BGA

substrato de empaquetado de la microelectrónica del substrato del montaje del semiconductor del grueso de 0.2m m
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del módulo de RF/Wireless/5G IC
Substrato de BGA

Fabricación del substrato del módulo de RF/Wireless/5G IC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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fabricación del substrato del paquete de la microelectrónica
Substrato de BGA

fabricación del substrato del paquete de la microelectrónica
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Materia prima de Hitachi BT del substrato del montaje BGA del semiconductor de ENEPIG
Substrato de BGA

Materia prima de Hitachi BT del substrato del montaje BGA del semiconductor de ENEPIG
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Producción del substrato del paquete de FBGA que apoya la base de BT 40um
Substrato de BGA

Producción del substrato del paquete de FBGA que apoya la base de BT 40um
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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substrato de empaquetado del semiconductor de la fabricación de la memoria de la COPITA
Substrato de BGA

substrato de empaquetado del semiconductor de la fabricación de la memoria de la COPITA
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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El alambre de ENIG/muere fabricación de empaquetado del substrato de IC de BGA del substrato en enlace del paquete
Substrato de BGA

El alambre de ENIG/muere fabricación de empaquetado del substrato de IC de BGA del substrato en enlace del paquete
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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El substrato ENEPIG de la capa CSP de BT FR4 4 mejoró Tenting
Substrato de BGA

El substrato ENEPIG de la capa CSP de BT FR4 4 mejoró Tenting
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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2-6 substrato de empaquetado del material BGA del taw de BT de la capa para el montaje del semiconductor
Substrato de BGA

2-6 substrato de empaquetado del material BGA del taw de BT de la capa para el montaje del semiconductor
Número de modelo：HRX
MOQ：1 metro cuadrado
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Oro suave de enlace del oro duro de la UL ENIG del substrato del alambre de L/S 30um BT
Substrato de BGA

Oro suave de enlace del oro duro de la UL ENIG del substrato del alambre de L/S 30um BT
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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BT ENEPIG 4 grueso acabado del substrato del paquete del sorbo de la capa 0.24m m
Substrato de BGA

BT ENEPIG 4 grueso acabado del substrato del paquete del sorbo de la capa 0.24m m
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Capa ENEPIG de BT FR4 NAND Memory Substrate Board 35/35um 4
Substrato de BGA

Capa ENEPIG de BT FR4 NAND Memory Substrate Board 35/35um 4
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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IC Chip Substrate Fabrication con BT (MGC/Hitachi) ENIG/Soft gold/ENEPIG
Substrato de BGA

IC Chip Substrate Fabrication con BT (MGC/Hitachi) ENIG/Soft gold/ENEPIG
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Fabricación del substrato del paquete de BT CSP de la marca de MGC
Substrato de BGA

Fabricación del substrato del paquete de BT CSP de la marca de MGC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Paquete de BGA de substrato de la memoria con la superficie suave del oro de ENEPIG ENIG
Substrato de BGA

Paquete de BGA de substrato de la memoria con la superficie suave del oro de ENEPIG ENIG
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Substrato material L/S 35/35um de Pacakge del semiconductor de BT
Substrato de BGA

Substrato material L/S 35/35um de Pacakge del semiconductor de BT
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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