HongRuiXing (Hubei) Electronics Co.,Ltd.
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substrato de empaquetado wirebonding de la memoria con el chapado en oro suave
Venta en caliente!
Substrato de la memoria

substrato de empaquetado wirebonding de la memoria con el chapado en oro suave
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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fabricación del substrato de la memoria de la tarjeta de 4L SD
Venta en caliente!
Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la memoria de la tarjeta de 4L SD
Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/
MOQ：1000pieces
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fabricación del substrato de la memoria de 0.26m m con el chapado en oro suave
Venta en caliente!
Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la memoria de 0.26m m con el chapado en oro suave
Capacidad de la fuente：30000M2/ mes
MOQ：1000pieces
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Fabricación del substrato del paquete de la memoria del NAND
Substrato de la memoria

Fabricación del substrato del paquete de la memoria del NAND
Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/
MOQ：5000PIECES
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Apoyo de la fabricación del substrato de la memoria de UDP/USB
Substrato de la memoria

Apoyo de la fabricación del substrato de la memoria de UDP/USB
Capacidad de la fuente：1000M2/ mes
MOQ：100pieces
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substrato de enlace de la memoria del alambre con la fabricación del chapado en oro
Substrato de la memoria

substrato de enlace de la memoria del alambre con la fabricación del chapado en oro
Capacidad de la fuente：30000M2/ mes
MOQ：10 metros del squre
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Substrato 4L de la memoria de MGC BT con la galjanoplastia de ENEPIG
Substrato de la memoria

Substrato 4L de la memoria de MGC BT con la galjanoplastia de ENEPIG
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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estándar de la fabricación JEDEC del substrato de la memoria de 0.2m m 4L BT
Substrato de la memoria

estándar de la fabricación JEDEC del substrato de la memoria de 0.2m m 4L BT
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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capacidad grande de la fabricación de empaquetado del substrato de la memoria
Substrato de la memoria

capacidad grande de la fabricación de empaquetado del substrato de la memoria
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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PWB de oro duro de la tarjeta del SD del finger
Substrato de la memoria

PWB de oro duro de la tarjeta del SD del finger
Capacidad de la fuente：Mes 50000PSC/
MOQ：1000pieces
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PWB de la tarjeta de BT FR4 SD
Substrato de la memoria

PWB de la tarjeta de BT FR4 SD
Capacidad de la fuente：Mes 50000PSC/
MOQ：1000pieces
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fabricación del substrato de la tarjeta del SD del finger del oro de 0.15m m
Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la tarjeta del SD del finger del oro de 0.15m m
Capacidad de la fuente：1000M2/ mes
MOQ：10 metros del squre
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Fabricante del substrato de memoria Flash
Substrato de la memoria

Fabricante del substrato de memoria Flash
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Apoyo de la fabricación del substrato de FMC
Substrato de la memoria

Apoyo de la fabricación del substrato de FMC
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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fabricación del substrato de la tarjeta microSD de 4 capas
Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la tarjeta microSD de 4 capas
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Tipo fabricación de empaquetado de BGA del substrato de la memoria
Substrato de la memoria

Tipo fabricación de empaquetado de BGA del substrato de la memoria
Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Substrato negro modificado para requisitos particulares del ic de la memoria para la tarjeta de memoria
Substrato de la memoria

Substrato negro modificado para requisitos particulares del ic de la memoria para la tarjeta de memoria
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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Producción del substrato de la memoria de base de BT de 4 capas
Substrato de la memoria

Producción del substrato de la memoria de base de BT de 4 capas
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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producción del substrato de la tarjeta microSD 4Layer
Substrato de la memoria

producción del substrato de la tarjeta microSD 4Layer
Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes
MOQ：1 metro cuadrado
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FMC NAND/material BT/FR4 del substrato de memoria Flash 70um para las tarjetas de memoria
Substrato de la memoria

FMC NAND/material BT/FR4 del substrato de memoria Flash 70um para las tarjetas de memoria
Capacidad de la fuente：30000M2/ mes
MOQ：100Pieces
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