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Substrato de la memoria

Escoge entre nuestros substrato de la memoria Productos, Para obtener más información, no dude en preguntarnos.

substrato de empaquetado wirebonding de la memoria con el chapado en oro suave

Venta en caliente!

substrato de empaquetado wirebonding de la memoria con el chapado en oro suave

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la memoria de la tarjeta de 4L SD

Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/

MOQ：1000pieces

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Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la memoria de 0.26m m con el chapado en oro suave

Capacidad de la fuente：30000M2/ mes

MOQ：1000pieces

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Substrato de la memoria

Fabricación del substrato del paquete de la memoria del NAND

Capacidad de la fuente：mes 30000sqm/

MOQ：5000PIECES

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Substrato de la memoria

Apoyo de la fabricación del substrato de la memoria de UDP/USB

Capacidad de la fuente：1000M2/ mes

MOQ：100pieces

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Substrato de la memoria

substrato de enlace de la memoria del alambre con la fabricación del chapado en oro

Capacidad de la fuente：30000M2/ mes

MOQ：10 metros del squre

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Substrato de la memoria

13 años de experiencia fabricación del substrato del NAND/de memoria Flash

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

Substrato 4L de la memoria de MGC BT con la galjanoplastia de ENEPIG

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

estándar de la fabricación JEDEC del substrato de la memoria de 0.2m m 4L BT

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

capacidad grande de la fabricación de empaquetado del substrato de la memoria

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

PWB de oro duro de la tarjeta del SD del finger

Capacidad de la fuente：Mes 50000PSC/

MOQ：1000pieces

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Substrato de la memoria

PWB de la tarjeta de BT FR4 SD

Capacidad de la fuente：Mes 50000PSC/

MOQ：1000pieces

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Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la tarjeta del SD del finger del oro de 0.15m m

Capacidad de la fuente：1000M2/ mes

MOQ：10 metros del squre

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Substrato de la memoria

Fabricante del substrato de memoria Flash

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

Apoyo de la fabricación del substrato de FMC

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

fabricación del substrato de la tarjeta microSD de 4 capas

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

Tipo fabricación de empaquetado de BGA del substrato de la memoria

Capacidad de la fuente：8000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

Substrato negro modificado para requisitos particulares del ic de la memoria para la tarjeta de memoria

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

Producción del substrato de la memoria de base de BT de 4 capas

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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Substrato de la memoria

producción del substrato de la tarjeta microSD 4Layer

Capacidad de la fuente：30000 metros cuadrados por mes

MOQ：1 metro cuadrado

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