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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

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Transistor de potencia de RF

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

Número de modelo：VBE6003H

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DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

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Transistor de potencia de RF

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

Número de modelo：VBE6006H

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Banda ancha de alta velocidad DC del transistor de poder del RF del material sólido a 3GHz 120W

Venta en caliente!

Transistor de potencia de RF

Banda ancha de alta velocidad DC del transistor de poder del RF del material sólido a 3GHz 120W

Número de modelo：VBE6006H

MOQ：1pcs

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Banda ancha de alta frecuencia 700 del transistor de poder de la aprobación del ISO a 6000MHz 15 vatios

Transistor de potencia de RF

Banda ancha de alta frecuencia 700 del transistor de poder de la aprobación del ISO a 6000MHz 15 vatios

Número de modelo：VBE35015M2

MOQ：1pcs

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DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva

Transistor de potencia de RF

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva

Número de modelo：VBE80R6H

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Banda ancha 700 del transistor de poder del nitruro 28V RF del galio a la vida útil larga de 5000MHz 25W

Transistor de potencia de RF

Banda ancha 700 del transistor de poder del nitruro 28V RF del galio a la vida útil larga de 5000MHz 25W

Número de modelo：VBE35025M2

MOQ：1pcs

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HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz

Transistor de potencia de RF

HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz

Número de modelo：VBE10R5

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HF amplio de la banda a FET 28V RoHs del transistor de poder de 1GHz 55W RF LDMOS obediente

Transistor de potencia de RF

HF amplio de la banda a FET 28V RoHs del transistor de poder de 1GHz 55W RF LDMOS obediente

Número de modelo：VBE10R5

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transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

Transistor de potencia de RF

transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

Número de modelo：VBE09260B2

MOQ：1pcs

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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

Transistor de potencia de RF

Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

Número de modelo：VBE36015E2

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