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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

Especificaciones

Número de modelo :

VBE6003H

Lugar del origen :

China

MOQ :

1pcs

Detalles de empaquetado :

embalaje neutral

Capacidad de la fuente :

10k

Plazo de expedición :

5-8 días laborables

Condición :

Nuevo y Original

Descripción

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

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Número de modelo :

VBE6003H

Lugar del origen :

China

MOQ :

1pcs

Detalles de empaquetado :

embalaje neutral

Capacidad de la fuente :

10k

Plazo de expedición :

5-8 días laborables

Proveedor de contacto

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier

8 Años

guangdong, shenzhen

Desde 2010

Tipo de empresa :

Fabricante

Productos principales :

La señal del teléfono celular Jammer, emisión de la señal del wifi, Emisión de la señal del PDA

Total anual :

5000000-10000000

Número de empleados :

100~150

Nivel de certificación :

Verified Supplier

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