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DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF
DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF
Especificaciones
Número de modelo :
VBE6006H
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Capacidad de la fuente :
10k
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :
embalaje neutral
Condición :
Nuevo y Original
Descripción

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

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China
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1pcs
Capacidad de la fuente :
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Plazo de expedición :
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Detalles de empaquetado :
embalaje neutral
Proveedor de contacto
DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2010
Tipo de empresa :
Fabricante
Productos principales :
La señal del teléfono celular Jammer, emisión de la señal del wifi, Emisión de la señal del PDA
Total anual :
5000000-10000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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