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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado
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Especificaciones
Número de modelo :
VBE36015E2
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Capacidad de la fuente :
10k
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :
embalaje neutral
Condición :
Nuevo y Original
Descripción
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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

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VBE36015E2
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China
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Capacidad de la fuente :
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Plazo de expedición :
5-8 días laborables
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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2010
Tipo de empresa :
Fabricante
Productos principales :
La señal del teléfono celular Jammer, emisión de la señal del wifi, Emisión de la señal del PDA
Total anual :
5000000-10000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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