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transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD
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Especificaciones
Número de modelo :
VBE09260B2
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Capacidad de la fuente :
10k
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :
embalaje neutral
Condición :
nueva y original
Descripción
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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2010
Tipo de empresa :
Fabricante
Productos principales :
La señal del teléfono celular Jammer, emisión de la señal del wifi, Emisión de la señal del PDA
Total anual :
5000000-10000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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