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Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Venta en caliente!
Substrato del semiconductor

Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Número de modelo：6inch S-C-N
MOQ：5pcs
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Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED
Venta en caliente!
Substrato del semiconductor

Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED
Número de modelo：4inch SEMI
MOQ：5pcs
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2 de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi
Venta en caliente!
Substrato del semiconductor

2" de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi
Número de modelo：GaAs-N-4inch
MOQ：5pcs
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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie
Substrato del semiconductor

2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie
Número de modelo：2inch
MOQ：5pcs
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Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
Substrato del semiconductor

Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
Número de modelo：INP 2-4inch
MOQ：3pcs
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El cristal del tantalato LiTaO3 del LT litio de Y-42°, Fe+ dopó la oblea del substrato 300um para vio óptico
Substrato del semiconductor

El cristal del tantalato LiTaO3 del LT litio de Y-42°, Fe+ dopó la oblea del substrato 300um para vio óptico
Número de modelo：LT
MOQ：25pcs
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2-6 oblea del substrato del solo cristal del substrato LiNbO3 del semiconductor de la pulgada
Substrato del semiconductor

2-6 oblea del substrato del solo cristal del substrato LiNbO3 del semiconductor de la pulgada
Número de modelo：LN
MOQ：25pcs
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Substrato de GaSb del antimoniuro de galio, monocristal del solo cristal para el semiconductor
Substrato del semiconductor

Substrato de GaSb del antimoniuro de galio, monocristal del solo cristal para el semiconductor
Número de modelo：GASb
MOQ：3pcs
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TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor
Substrato del semiconductor

TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor
Número de modelo：Arseniuro (InAs) del indio
MOQ：3pcs
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650um grueso substrato del semiconductor del INP del solo cristal de 4 pulgadas
Substrato del semiconductor

650um grueso substrato del semiconductor del INP del solo cristal de 4 pulgadas
Número de modelo：INP
MOQ：3PCS
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INP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 pulgadas
Substrato del semiconductor

INP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 pulgadas
Capacidad de la fuente：500PCS
MOQ：3PCS
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Del OEM sola Crystal Ge lente óptica del diámetro 25.4m m
Substrato del semiconductor

Del OEM sola Crystal Ge lente óptica del diámetro 25.4m m
Capacidad de la fuente：1000pcs/month
MOQ：10pcs
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2 el silicio de la película de la pulgada 1000nm AlN basó el substrato del semiconductor del nitruro de aluminio
Substrato del semiconductor

2 el silicio de la película de la pulgada 1000nm AlN basó el substrato del semiconductor del nitruro de aluminio
Capacidad de la fuente：50PCS/Month
MOQ：3pcs
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Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Substrato del semiconductor

Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Capacidad de la fuente：50PCS/Month
MOQ：5pcs
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4 Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Substrato del semiconductor

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Capacidad de la fuente：50PCS/Month
MOQ：5pcs
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6 silicio basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Substrato del semiconductor

6" silicio basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Capacidad de la fuente：50PCS/Month
MOQ：3pcs
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diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m
Substrato del semiconductor

diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m
Capacidad de la fuente：50PCS/Month
MOQ：3pcs
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5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m
Substrato del semiconductor

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m
Capacidad de la fuente：10PCS/Month
MOQ：1PCS
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Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada
Substrato del semiconductor

Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada
Capacidad de la fuente：10PCS/Month
MOQ：1PCS
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900nm 4 las películas finísimas del niobato del litio de la pulgada LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
Substrato del semiconductor

900nm 4 las películas finísimas del niobato del litio de la pulgada LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
Capacidad de la fuente：10PCS/Month
MOQ：2pcs
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