SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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El carburo de silicio de 6 pulgadas sic cubrió las placas de Tray High Temperature Resistance Graphite del grafito
Venta en caliente!
Partes de cerámica

El carburo de silicio de 6 pulgadas sic cubrió las placas de Tray High Temperature Resistance Graphite del grafito
Capacidad de la fuente：1000PCS/Week
MOQ：5-10pcs
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Placa de bandejas de carburo de silicio placas de bandejas de wafers de silicio para grabado ICP MOCVD Susceptor resistente al desgaste
Venta en caliente!
Partes de cerámica

Placa de bandejas de carburo de silicio placas de bandejas de wafers de silicio para grabado ICP MOCVD Susceptor resistente al desgaste
Número de modelo：bandeja de obleas de SiC
Lugar de origen：China.
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Placa de cerámica SiC para procesamiento de obleas de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas y tamaño personalizado
Venta en caliente!
Partes de cerámica

Placa de cerámica SiC para procesamiento de obleas de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas y tamaño personalizado
Purificación：990,9%
El color：Negro
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Envases cerámicos de carburo de silicio con recubrimiento de CVD SiC Tamaño personalizado Sinterización a alta temperatura
Partes de cerámica

Envases cerámicos de carburo de silicio con recubrimiento de CVD SiC Tamaño personalizado Sinterización a alta temperatura
Lugar de origen：China.
Condiciones de pago：T/T
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bandeja cerámica de carburo de silicio utilizada para soportar materiales obleas de semiconductores excelente resistencia a la corrosión
Partes de cerámica

bandeja cerámica de carburo de silicio utilizada para soportar materiales obleas de semiconductores excelente resistencia a la corrosión
Lugar de origen：China.
Condiciones de pago：T/T
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Cerámica de aluminio / Brazo mecánico / Vaso de succión / Partes estructurales cerámicas Al2O3
Partes de cerámica

Cerámica de aluminio / Brazo mecánico / Vaso de succión / Partes estructurales cerámicas Al2O3
Número de modelo：Substrato de arseniuro de indio (InAs)
Lugar de origen：China
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SiC soporte de placas cerámicas para el proceso de grabado ICP en el procesamiento de crecimiento epitaxial
Partes de cerámica

SiC soporte de placas cerámicas para el proceso de grabado ICP en el procesamiento de crecimiento epitaxial
Número de modelo：En el caso de las placas de cerámica de SiC
Lugar de origen：China
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SiC cerámica tenedor hecha a medida de precisión componente estructural manija obleas componente óptico
Partes de cerámica

SiC cerámica tenedor hecha a medida de precisión componente estructural manija obleas componente óptico
Lugar de origen：China
Cantidad mínima de pedido：1
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Manipulación de precisión con brazo de horquilla/efector final de cerámica SiC de alto rendimiento
Partes de cerámica

Manipulación de precisión con brazo de horquilla/efector final de cerámica SiC de alto rendimiento
Número de modelo：efector final
Lugar de origen：China
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