Nuestro 2' ‘a 6" ‘cristal semiconductor y semiaislante y oblea del GaAs se utiliza violentamente en el uso del uso del circuito integrado del semiconductor y de la iluminación general del LED.
| Característica | Campo del uso | 
|---|---|
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos | 
| De alta frecuencia | Diodos láser | 
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos | 
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón | 
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión | 


Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs
Método del crecimiento  | VGF  | |||
Dopante  | p-tipo: Zn  | n-tipo: Si  | ||
Forma de la oblea  | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6")  | |||
Orientación superficial *  | (100) ±0.5°  | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición  | ||||
Dopante  | Si (n-tipo)  | Zn (p-tipo)  | ||
Concentración de portador (cm-3)  | (0.8-4) × 1018  | (0.5-5) × 1019  | ||
Movilidad (cm2/V.S.)  | × 103 (de 1-2.5)  | 50-120  | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s)  | 100-5000  | 3,000-5,000  | ||
Diámetro de la oblea (milímetros)  | 50.8±0.3  | 76.2±0.3  | 100±0.3  | |
Grueso (µm)  | 350±25  | 625±25  | 625±25  | |
TTV [P/P] (µm)  | ≤ 4  | ≤ 4  | ≤ 4  | |
TTV [P/E] (µm)  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 10  | |
DEFORMACIÓN (µm)  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 10  | |
DE (milímetros)  | 17±1  | 22±1  | 32.5±1  | |
DE/SI (milímetros)  | 7±1  | 12±1  | 18±1  | |
Polish*  | E/E,  | E/E,  | E/E,  | |
Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs
Método del crecimiento  | VGF  | |||
Dopante  | Tipo del SI: Carbono  | |||
Forma de la oblea  | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", 6")  | |||
Orientación superficial *  | (100) ±0.5°  | |||
* otras orientaciones quizá disponibles a petición  | ||||
Resistencia (Ω.cm)  | × 107 del ≥ 1  | × 108 del ≥ 1  | ||
Movilidad (cm2/V.S)  | ≥ 5.000  | ≥ 4.000  | ||
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s)  | 1,500-5,000  | 1,500-5,000  | ||
Diámetro de la oblea (milímetros)  | 50.8±0.3  | 76.2±0.3  | 100±0.3  | 150±0.3  | 
Grueso (µm)  | 350±25  | 625±25  | 625±25  | 675±25  | 
TTV [P/P] (µm)  | ≤ 4  | ≤ 4  | ≤ 4  | ≤ 4  | 
TTV [P/E] (µm)  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 10  | 
DEFORMACIÓN (µm)  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 10  | ≤ 15  | 
DE (milímetros)  | 17±1  | 22±1  | 32.5±1  | MUESCA  | 
DE/SI (milímetros)  | 7±1  | 12±1  | 18±1  | N/A  | 
Polish*  | E/E,  | E/E,  | E/E,  | E/E,  | 
 

FAQ –
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(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
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(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
 
Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la forma del producto,
¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!