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diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m
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Especificaciones
Number modelo :
UTI-AlN-150
Lugar del origen :
China
MOQ :
3pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :
50PCS/Month
Plazo de expedición :
en 30days
Detalles de empaquetado :
solo envase de la oblea en sitio de limpieza
substrato :
oblea de silicio
capa :
Plantilla de AlN
grueso de la capa :
200-1000nm
tipo de la conductividad :
N/P
Orientación :
0001
uso :
poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia
uso 2 :
dispositivos de 5G saw/BAW
grueso del silicio :
525um/625um/725um
Descripción

 

diámetro 150m m   8inch 4inch 6inch Silicio-basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio

 

Usos de   Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene
las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,
la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,
los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son
el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW
dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,
¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?
detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,
detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
 
Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
 
 
             Especificación
 
Especificación característica
  • Modelo                                                           Cristal de UTI-AlN-030B-single
  • Diámetro                                                            Dia30±0.5mm;
  • Grueso del substrato (µm)                                      400 ± 50
  • Orientación                                                        C-AXIS [0001] +/- 0.5°

     Grado de calidad              S-grado (estupendo)    P-grado (producción)       R-grado (investigación)

 
  • Grietas                                                  Ninguno                      Ninguno <3mm>
    •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro)          Al-cara <0>
  • Área usable                                       el 90%
  • Absorción<50>
    •                              
  • 1r de la orientación de la longitud                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Arco (µm)                                                                        ≤30
  • Deformación (µm)                                                                    -30~30
  • Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados
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elemento de la impureza    FE del Na W.P.S Ti de C O Si B
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Estructura cristalina

Wurzita
Constante del enrejado (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo de la banda de conducción Bandgap directo
Densidad (g/cm3) 3,23
Microdureza superficial (prueba de Knoop) 800
Punto de fusión (℃) 2750 (barra 10-100 en N2)
Conductividad termal (W/m·K) 320
Energía del hueco de banda (eV) 6,28
Movilidad de electrón (V·s/cm2) 1100
Campo eléctrico de la avería (MV/cm) 11,7

 

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Detalle del producto
Number modelo :
UTI-AlN-150
Lugar del origen :
China
MOQ :
3pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :
50PCS/Month
Plazo de expedición :
en 30days
Proveedor de contacto
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
substrato del zafiro, Zafiro Windows óptico, Oblea del carburo de silicio
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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