Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor
Una solución de ingeniería de precisión para la fabricación de semiconductores, este sistema de limpieza ultrasónica integra procesos de múltiples etapas para lograr una pureza superficial a nivel submicrónico en obleas de silicio, lo cual es fundamental para mantener el rendimiento del dispositivo en la fabricación de nodos avanzados (hasta 5 nm).
Etapas de Limpieza Secuenciales:
- Fregado Ultrasónico Alcalino: Emplea cavitación ultrasónica de 40KHz-80KHz en un baño alcalino para descomponer contaminantes orgánicos, eliminar residuos de fotorresistente y desprender macropartículas (≥1μm) de las superficies de las obleas y las estructuras de vías. La energía ultrasónica de frecuencia ajustable garantiza una limpieza uniforme en diámetros de obleas de 4"-12", incluidas las zonas de exclusión de bordes.
- Grabado Ácido Ultrasónico: Utiliza el mismo rango de frecuencia en medios ácidos para disolver impurezas inorgánicas, específicamente iones metálicos (Fe, Cu, Zn) y capas de óxido nativo (SiO₂). Los microchorros de cavitación penetran en las características con patrones para eliminar contaminantes incrustados de menos de 100 nm, validados por lecturas de contadores de partículas (≤10 partículas/oblea para ≥0,1μm).
- Enjuague con UPW: Enjuague final con agua ultrapura (UPW, TOC ≤5ppb) para eliminar las químicas residuales, logrando una resistividad superficial ≥18.2MΩ·cm, cumpliendo con los estándares SEMI F20 para la limpieza previa a la deposición.
Parámetros del Proceso:
- Banda de Frecuencia: 40KHz-80KHz (operación multifrecuencia, seleccionable a través de HMI para ajuste específico de contaminación)
- Punto de Ajuste de Temperatura: 60℃ (controlado por PID, tolerancia ±1℃) para optimizar la cinética de la reacción química sin inducir deformación de la oblea.
- Compatibilidad de Materiales: Componentes humedecidos en PFA (perfluoroalcoxi) y zafiro para evitar la lixiviación de iones metálicos, asegurando cero contaminación cruzada.
Ventajas de la Integración en la Fab:
- Compatible con la carga de cápsulas FOUP/SMIF para el manejo automatizado de casetes, reduciendo la intervención humana
- Diseño de clase sala limpia (ISO 5) con escape filtrado por HEPA para mantener el cumplimiento del entorno Clase 1
- Almacenamiento de recetas para más de 50 protocolos de limpieza, adaptable a obleas desnudas, obleas SOI y epi-wafers
Aplicación: Esencial para la limpieza previa a la litografía, posterior a CMP y posterior al grabado en líneas de fabricación de lógica, memoria y MEMS.
Palabras Clave: Limpiador ultrasónico de obleas semiconductoras, limpieza secuencial alcalina-ácida, enjuague con UPW, proceso de 40-80KHz, 60℃, descontaminación submicrónica