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Limpiador de obleas de silicio semiconductor - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida de 40KHz-80KHz + Enjuague con agua pura, 60℃
Limpiador de obleas de silicio semiconductor - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida de 40KHz-80KHz + Enjuague con agua pura, 60℃
Especificaciones
Número de modelo :
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Lugar de origen :
Dongguan, Guangdong
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
T/t
Capacidad de suministro :
Una unidad, tardará de 30 a 60 días.
Tiempo de entrega :
Entre 30 y 60 días hábiles
Detalles del Embalaje :
Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M
Tipo :
Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura
Frecuencia de limpieza :
Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió
Número de tanques :
10
Potencia :
120kW
Dimensiones generales :
12M*2M*2.8M
Modelo :
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
nombre :
Máquina de limpieza de semiconductores
Temperatura de limpieza :
60 °C
Descripción

Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor​
Específicamente diseñado para la industria de semiconductores, este equipo de limpieza de alta precisión integra procesos ultrasónicos de múltiples etapas para lograr superficies ultralimpias en obleas de silicio, un requisito previo crítico para garantizar un alto rendimiento y confiabilidad en la fabricación de dispositivos microelectrónicos.​
Procesos de Limpieza Principales:​
  • Limpieza Ultrasónica Alcalina: Aprovecha la cavitación ultrasónica en soluciones alcalinas para eliminar eficientemente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas grandes de las superficies de las obleas y microestructuras. La energía controlada generada por las ondas ultrasónicas asegura una limpieza a fondo incluso en patrones intrincados, preparando las obleas para el tratamiento ácido posterior.​
  • Limpieza Ultrasónica Ácida: Utiliza energía ultrasónica en medios ácidos para atacar y eliminar impurezas inorgánicas, incluidos iones metálicos (como Fe, Cu y Ni) y capas de óxido. Esta etapa mejora aún más la pureza de la superficie al desalojar contaminantes submicrónicos que pueden estar incrustados en las texturas de las obleas, aprovechando la acción ultrasónica de frecuencia ajustable para una limpieza precisa.​
  • Enjuague con Agua Pura: La etapa final emplea agua de alta pureza (con resistividad ≥18.2MΩ·cm) para enjuagar a fondo los agentes de limpieza residuales, asegurando que la superficie de la oblea esté libre de residuos químicos y cumpla con los estrictos estándares de pureza requeridos para el procesamiento avanzado de semiconductores.​
Parámetros Técnicos:​
  • Rango de Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz, que es ajustable para adaptarse a diferentes tipos de contaminación y especificaciones de las obleas, optimizando la intensidad de la cavitación para obtener resultados de limpieza óptimos.​
  • Temperatura de Funcionamiento: Mantenida a 60℃, una temperatura que mejora la reactividad de las soluciones de limpieza al tiempo que evita cualquier daño potencial a las obleas de silicio, asegurando un rendimiento de limpieza consistente y confiable.​
  • Construcción del Material: Los componentes clave en contacto con las obleas y los fluidos de limpieza están hechos de materiales resistentes a la corrosión como PFA y cuarzo de alta pureza, evitando la contaminación secundaria y asegurando la estabilidad a largo plazo del equipo.​
Ventajas Clave:​
  • Ofrece una eficiencia de eliminación de partículas excepcional, eliminando eficazmente partículas tan pequeñas como 0.1μm para cumplir con los estrictos requisitos de los estándares de fabricación de semiconductores (SEMI).​
  • La combinación de limpieza ultrasónica alcalina, limpieza ultrasónica ácida y enjuague con agua pura forma un ciclo de limpieza completo, asegurando la eliminación integral de varios contaminantes.​
  • El rango de frecuencia ajustable (40KHz-80KHz) y el control preciso de la temperatura (60℃) permiten la personalización de acuerdo con las necesidades específicas de limpieza de obleas, mejorando la flexibilidad del proceso.​
  • Diseñado para una fácil integración en las líneas de producción de semiconductores, compatible con sistemas automatizados de manipulación de obleas para optimizar los flujos de trabajo de fabricación.​
Aplicación: Ideal para la limpieza de obleas de silicio en procesos como pre-litografía, post-grabado y pre-deposición en la fabricación de obleas de 4 a 12 pulgadas, adecuado tanto para investigación y desarrollo como para entornos de producción en masa.​
Palabras Clave: Limpiador de obleas de silicio semiconductor, limpieza ultrasónica alcalina, limpieza ultrasónica ácida, enjuague con agua pura, 40KHz-80KHz, 60℃, tratamiento de la superficie de la oblea​

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Número de modelo :
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Lugar de origen :
Dongguan, Guangdong
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
T/t
Capacidad de suministro :
Una unidad, tardará de 30 a 60 días.
Tiempo de entrega :
Entre 30 y 60 días hábiles
Proveedor de contacto
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guangdong Jietai Ultrasonic cleaning Equipment Co., Ltd.

Active Member
1 Años
guangdong, dongguan
Desde 2005
Productos principales :
Equipo de limpieza por ultrasonidos, Limpiador ultrasónico de electrónica, Limpiador ultrasónico de instrumentos
Total anual :
4,397,596.73-6,397,596.73
Número de empleados :
460~500
Nivel de certificación :
Active Member
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