Introducción al producto: Sistema de limpieza de obleas de silicio semiconductor- ¿ Qué?
Diseñado para la fabricación de semiconductores de alta precisión, este sistema de limpieza integrado combina procesos ultrasónicos de varias etapas para proporcionar una pureza de superficie de nivel sub-ppb,un requisito previo crítico para la fabricación de obleas de silicio en la producción de microelectrónica de nodo avanzado (≤ 7 nm).- ¿ Qué?
Mecanismo de limpieza por etapas:- ¿ Qué?
- Limpieza alcalina por ultrasonidos: Funciona a 40KHz-80KHz para generar cavitación controlada en medios alcalinos, eliminando eficientemente los contaminantes orgánicos (por ejemplo, fotoresistentes,hidrocarburos) y partículas (≥ 1 μm) de las superficies de las obleas y de las estructuras con patronesLa energía ultrasónica ajustable a la frecuencia asegura una limpieza uniforme en las obleas de 4"-12", incluidos los biseles de los bordes y las superficies traseras.- ¿ Qué?
- Limpieza con ácido por ultrasonidos: Utiliza el mismo rango de frecuencia en soluciones ácidas para atacar las impurezas inorgánicas, específicamente los contaminantes de iones metálicos (Fe, Cu, Zn) y las capas nativas de óxido (SiO2).Esta etapa emplea micro-jetos inducidos por cavitación para desalojar partículas sub-100nm incrustadas en zanjas o vías, validados por contadores de partículas láser (≤ 5 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- ¿ Qué?
- Ciclo de enjuague con agua pura: El enjuague final con UPW (agua ultrapura, TOC ≤3ppb) elimina los residuos químicos, logrando una resistividad superficial ≥ 18,2 MΩ·cm para cumplir con las normas SEMI F020 para el procesamiento previo a la deposición.- ¿ Qué?
Especificaciones técnicas:- ¿ Qué?
- Banda de frecuencia ultrasónica: 40KHz-80KHz (seleccionable a través del PLC, optimizando la intensidad de cavitación para el tipo de contaminación)- ¿ Qué?
- Temperatura del proceso: 60 °C (control PID, tolerancia ± 0,5 °C) para acelerar la reactividad química sin inducir tensión de la oblea- ¿ Qué?
- Compatibilidad material: Componentes humedecidos en PFA y alumina de alta pureza para resistir la corrosión por HF/H2SO4, evitando el derrame de partículas- ¿ Qué?
Métricas de rendimiento básicas:- ¿ Qué?
- Eficiencia de eliminación de partículas (PRE) ≥ 99,9% para contaminantes ≥ 0,1 μm- ¿ Qué?
- Eliminación de residuos químicos ≤ 0,1 ng/cm2 (verificado por el ICP-MS)- ¿ Qué?
- Compatible con el manejo automatizado de casetes (FOUP/SMIF) para la integración de fábricas las 24 horas, los 7 días de la semana- ¿ Qué?
Aplicación: Es esencial para la limpieza pre-litho, post-CMP y pre-implantación en líneas de producción de obleas lógicas, de memoria y de sensores.- ¿ Qué?
Palabras clave: limpiador de obleas de semiconductores, limpieza alcalina/ácida por ultrasonidos, enjuague UPW, proceso de 40-80KHz, 60°C, descontaminación de obleas de silicio- ¿ Qué?
Este sistema garantiza un rendimiento de limpieza constante para maximizar el rendimiento en entornos de fabricación de semiconductores de alto volumen.