En casa > Productos de China > mosfet del poder

Productos relacionados

amplificador de mosfet

 (301)

tiristor controlado del mosfet

 (1,933)

transistor del mosfet

 (15,329)

amplificador de potencia del mosfet

 (23,897)

circuito del amplificador del mosfet

 (21,365)

mosfet del alto voltaje

 (155,144)

conductor del mosfet del poder

 (39,814)

disipador de calor del mosfet

 (14)

mosfet del poder del hexfet

 (11,163)

pequeño mosfet de la señal

 (5,811)

mosfet de toshiba

 (283)

mosfet del poder del canal de p

 (39,873)

mosfet 60v

 (852)

mosfet del poder del rf

 (44,029)

mosfet de alta velocidad

 (225,774)

mosfet de Fairchild

 (494)

mosfet del canal de p

 (11,245)

mosfet vishay

 (633)

mosfet 600v

 (333)

retransmisión del mosfet

 (136)

módulo del mosfet

 (3,772)

mosfet del canal N

 (11,245)

mosfet del igbt

 (3,865)

mosfet del ir

 (110)

igbt del mosfet

 (3,865)

mosfet del poder

10,956
Encuentra lo que buscas fuera de 10,956 de alta calidad mosfet del poder de los proveedores chinos
Productos relacionados
MOSFETs HiPerFET del poder del transistor 800V 27A 0,32 Rds del Mosfet del canal N de IXFK27N80Q
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

MOSFETs HiPerFET del poder del transistor 800V 27A 0,32 Rds del Mosfet del canal N de IXFK27N80Q
Capacidad de la fuente：5000pcs por mes
MOQ：2pcs
Contacta ahora
JUYI Tech JY09M N Canal de mejora MOS IC TO-220 70V90A Mosfet de energía
El video
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

JUYI Tech JY09M N Canal de mejora MOS IC TO-220 70V90A Mosfet de energía
Número de modelo：JY09M
Lugar de origen：China.
Contacta ahora
1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

1200V MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N del MOSFET SCTWA50N120 a través del agujero HiP247
Plazo de expedición：5-8 días del trabajo
Number modelo：SCTWA50N120
Contacta ahora
De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
Shenzhen Res Electronics Limited

De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
Capacidad de la fuente：mes 10000pcs/one
MOQ：discutible
Contacta ahora
MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia
Número de modelo：IRF7351TRPBF
Lugar de origen：PORCELANA
Contacta ahora
Control óptimo de alta velocidad de IC JY21L del conductor de la puerta para el MOSFET e IGBT del poder
Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

Control óptimo de alta velocidad de IC JY21L del conductor de la puerta para el MOSFET e IGBT del poder
Capacidad de la fuente：100000 PCS por mes
MOQ：5pcs
Contacta ahora
IC IRF1407PBF del conductor del Mosfet del poder de los componentes electrónicos 75V
Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

IC IRF1407PBF del conductor del Mosfet del poder de los componentes electrónicos 75V
Número de modelo：IRF1407PBF
Lugar de origen：Original
Contacta ahora
Modo de mejora del canal N MOSFET de potencia JY8N5M TO252 Tubo de efecto de campo de alta potencia 500V 4A
Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Modo de mejora del canal N MOSFET de potencia JY8N5M TO252 Tubo de efecto de campo de alta potencia 500V 4A
Número de modelo：JY8N5M
MOQ：50pcs (muestra disponible)
Contacta ahora
IRFP260N TO-247AC IRFP260 N n-canal mosfet 200V 50A TO247AC IRFP260NPBF Potencia MOSFET IRFP 260N IR FP260N 260
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

IRFP260N TO-247AC IRFP260 N n-canal mosfet 200V 50A TO247AC IRFP260NPBF Potencia MOSFET IRFP 260N IR FP260N 260
Fabricante Part Number：Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Tipo de producto：circuito integrado
Contacta ahora
Nuevo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potencia con chip de IC Mosfet
Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Nuevo transistor original FDP18N50 TO-220-3 18A/500V de potencia con chip de IC Mosfet
Número de modelo：FDP18N50
lugar de origen：originales
Contacta ahora
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET
El video
Wisdtech Technology Co.,Limited

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET
Número de modelo：D2085UK
Lugar de origen：Reino Unido
Contacta ahora
Voltaje de avería de la Dren-fuente del MOSFET P-Chan de las piezas IRFR9214PBF de la aviación 250 V
XIXIAN FORWARD TECHNOLOGY LTD

Voltaje de avería de la Dren-fuente del MOSFET P-Chan de las piezas IRFR9214PBF de la aviación 250 V
Number modelo：IRFR9214PBF
MOQ：PC 1
Contacta ahora
La gestión durable ICs LNK364PN del poder 132kHz CAMBIA integraciones del poder del TIEMPO DE RETORNO 8DIP
Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

La gestión durable ICs LNK364PN del poder 132kHz CAMBIA integraciones del poder del TIEMPO DE RETORNO 8DIP
Capacidad de la fuente：en existencia
MOQ：1
Contacta ahora
SOT89-3 HT7550-1 100mA Baja potencia LDO 24V en equipos alimentados por baterías
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

SOT89-3 HT7550-1 100mA Baja potencia LDO 24V en equipos alimentados por baterías
Número de modelo：Las demás:
Lugar de origen：Dongguan China
Contacta ahora
Nuevo y original PMIC VNLD5090TR-E VNLD5090TR VNLD5090 HSOP-8 Chips de administración de energía Servicio de lista de lista de materiales integral
Shenzhen GS Electronic Technology Co., Ltd. CN

Nuevo y original PMIC VNLD5090TR-E VNLD5090TR VNLD5090 HSOP-8 Chips de administración de energía Servicio de lista de lista de materiales integral
Descripción：VNLD5090TR-E VNLD5090TR VNLD5090
Las existencias：10000
Contacta ahora
IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Mosfet de alta potencia TO-220-3
Eastern Stor International Ltd.

IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Mosfet de alta potencia TO-220-3
Número de modelo：Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Lugar de origen：Alemania
Contacta ahora
Proveedor de contacto
Requisito de presentación
Ver más