Especificaciones
Número de modelo :
IRF7351TRPBF
Lugar de origen :
PORCELANA
Cantidad mínima de pedido :
1
Términos de pago :
T/T, Western Union,
Capacidad de suministro :
1000pcs por mes
El tiempo de entrega :
3-5 días hábiles después de recibir el pago
Detalles del embalaje :
Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Función :
Agudo, baja hacia abajo
Configuración de salida :
Positivo o negativo
Topología :
Buck, Boost
Tipo de salida :
Ajustable
Número de salidas :
1
Descripción

MOSFET de potencia Ultra-Bajo 0.0015Ω en PQFN dual con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel Lógico y Libre de Halógenos para Conversión de Potencia de Alta Eficiencia

Características

Impedancia de puerta ultra baja

Voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados

20V VGS Máx. Clasificación de puerta

Aplicaciones

MOSFET rectificador síncrono para convertidores DC-DC aislados

Sistemas de accionamiento de motor de baja potencia

Descripción

El IRF7351TRPBF es un MOSFET de canal N dual de alto rendimiento de Infineon Technologies, integrado en un paquete PQFN compacto de 5x6 mm. Está diseñado específicamente para convertidores buck síncronos y otras aplicaciones de gestión de energía que exigen alta eficiencia y alta densidad de potencia.

INFORMACIÓN

Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
Empaquetado
Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de la pieza
Activo
Tecnología
MOSFET (Óxido de metal)
Configuración
2 canales N (Dual)
Característica FET
Puerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx) @ Id
4V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
1330pF @ 30V
Potencia - Máx
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Número de producto base

Dibujo

MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia

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Fuerte en marcas:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

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MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia

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Cantidad mínima de pedido :
1
Términos de pago :
T/T, Western Union,
Capacidad de suministro :
1000pcs por mes
El tiempo de entrega :
3-5 días hábiles después de recibir el pago
Proveedor de contacto
MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia
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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
11 Años
Desde 2006
Tipo de empresa :
Fabricante
Total anual :
>10000000
Número de empleados :
>20
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación