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De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
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De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
Especificaciones
Number modelo :
NTTFS3A08PZTAG
Lugar del origen :
América
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
mes 10000pcs/one
Plazo de expedición :
3~10 días
Detalles de empaquetado :
Paquete original
Tipo :
Mosfet
D/C :
Estándar
Tipo del paquete :
WDFN-8
Uso :
Estándar
Tipo del proveedor :
Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro
Medios disponible :
la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro
Marca :
Mosfet
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
20 V
Temperatura de funcionamiento :
-55 ℃ ℃~150
Montaje del tipo :
Soporte superficial
Paquete/caso :
WDFN-8, WDFN-8
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :
20 V
Número de elementos :
1
Número de pernos :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
configuración del elemento :
solo
Min Operating Temperature :
-55 °C
Tiempo de subida :
56 ns
Rds en máximo :
mΩ 6,7
Número de canales :
1
RoHS :
Obediente
Descripción

De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs

 

Descripción de productos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET del poder del P-canal

2. wdfn superficial del soporte 840mW (TA) del P-canal 20V 9A (TA) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del transporte

4. componentes -20V, - 15A, los 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canal de P

 

 

Garantía de calidad:
1. Cada proceso de producción tiene una persona especial a probar para asegurar calidad
2. Tenga ingenieros profesionales para comprobar la calidad
3. Todos los productos han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

 

 

Parámetros tecnológicos:

Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 9A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Disipación de poder (máxima) 840mW (TA)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Número bajo del producto NTTFS3

 

Imagen del producto:

De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs

Garantía de calidad:

1. Cada proceso de producción tiene una persona especial a probar para asegurar calidad

2. Tenga ingenieros profesionales para comprobar la calidad

3. Todos los productos han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

 

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Detalle del producto
Number modelo :
NTTFS3A08PZTAG
Lugar del origen :
América
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
mes 10000pcs/one
Plazo de expedición :
3~10 días
Proveedor de contacto
De NTTFS3A08PZTAG del transistor del chip CI solo P Mosfet 20V 9A 8WDFN del poder del canal de los FETs
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
5 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Productos principales :
Chips CI electrónicos, Chip de memoria de IC, Chip CI del transistor
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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