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Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG
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Especificaciones
Number modelo :
NTTFS3A08PZTAG
Lugar del origen :
América
Detalles de empaquetado :
Paquete original
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
mes 10000pcs/one
Plazo de expedición :
3~10 días
Tipo :
Mosfet
Tipo del paquete :
WDFN-8
Tipo del proveedor :
Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro
Medios disponible :
la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
20 V
Temperatura de funcionamiento :
-55 ℃ ℃~150
Montaje del tipo :
Soporte superficial
Paquete/caso :
WDFN-8, WDFN-8
Número de elementos :
1
Número de pernos :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
configuración del elemento :
solo
Min Operating Temperature :
-55 °C
Tiempo de subida :
56 ns
Rds en máximo :
mΩ 6,7
RoHS :
Obediente
Descripción

De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs

 

 

Descripción de productos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET del poder del P-canal

2. wdfn superficial del soporte 840mW (TA) del P-canal 20V 9A (TA) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del transporte

4. componentes -20V, - 15A, los 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canal de P

 
Mejore su eficacia:
El hacer juego todo en uno de los conectores de los inductores del resistor del condensador del transistor del diodo de IC del servicio de Kitting de la lista de los componentes electrónicos BOM
El Res tiene un equipo profesional para hacer juego y para citar rápidamente para usted.
Requisito del tiempo:
Tiempo de la cita: < 1mins=""> < 3mins=""> Plazo de expedición: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Tiempo del PWB: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Tiempo de PCBA: < 5="" days=""> * los datos antedichos son solamente aplicables a los materiales normales en tiempo ocioso.

 

Parámetros tecnológicos:

Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 9A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Disipación de poder (máxima) 840mW (TA)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Número bajo del producto NTTFS3

 

 

Imagen del producto:

Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG

 

Garantía de calidad

 

el proceso de producción 1.Every tiene una persona especial a probar para asegurar calidad

ingenieros profesionales 2.Have para comprobar la calidad

los productos 3.All han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

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Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG

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Detalle del producto
Number modelo :
NTTFS3A08PZTAG
Lugar del origen :
América
Detalles de empaquetado :
Paquete original
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
mes 10000pcs/one
Proveedor de contacto
Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Productos principales :
Chips CI electrónicos, Chip de memoria de IC, Chip CI del transistor
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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