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Transistor SOIC-8 del canal N del MOSFET de MOS Tube del transistor de FDS6699S
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Transistor SOIC-8 del canal N del MOSFET de MOS Tube del transistor de FDS6699S
Especificaciones
Number modelo :
FDS6699S
Lugar del origen :
América
Detalles de empaquetado :
Paquete original
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram,
Capacidad de la fuente :
10000pcs un mes
Plazo de expedición :
3~7days
Tipo :
Mosfet
D/C :
2021
Tipo del paquete :
SOIC-8
Uso :
Estándar
Tipo del proveedor :
Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro
Medios disponible :
la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro
Marca :
Mosfet
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
30,0 V
Temperatura de funcionamiento :
-55 ℃ ℃~150
Montaje del tipo :
Soporte superficial
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :
30,0 V
Número de pernos :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
configuración del elemento :
solo
Min Operating Temperature :
-55 °C
Tiempo de subida :
12 ns
Rds en máximo :
mΩ 3,6
Número de canales :
1
RoHS :
Obediente
Descripción

Canal N SOIC-8 del tubo del MOS del transistor de FDS6699S

 

Descripción de productos:

1. modelo del producto: FDS6699S

   

2. descripción: MOSFET

3. canal N 21 A 30 V 3,6 MoHM del MOSFET del transistor de FDS6699S 10 V 1,4 V

4. tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida

5. poder más elevado y capacidad de dirección actual

6. el 100% RG (resistencia de la puerta) probado

 

 

Parámetros tecnológicos:

Grado del voltaje (DC) 30,0 V
Grado actual 21,0 A
Número de canales 1
Número de posiciones 8
Drene a la resistencia de la fuente (encendido) (el Rds) mΩ 3,6
Polaridad Canal N
Disipación de poder 2,5 mW
Voltaje del umbral 1,4 V
Capacitancia entrada 3,61 N-F
Carga de la puerta 65,0 nC
Drene al voltaje de la fuente (Vds) 30 V
Voltaje de avería (dren a la fuente) 30 V
Voltaje de avería (puerta a la fuente) ±20.0 V
Corriente continua del dren (Ids) 21,0 A
Tiempo de subida 12 ns

 

 

Uso:

Aparatos electrodomésticos

El FDS6699S es un MOSFET del canal N de SyncFET™ produjo usando el proceso de PowerTrench®. Se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en fuentes de alimentación síncronas de DC-a-DC. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Incluye un diodo integrado de Schottky usando tecnología monolítica de s SyncFET™ de Fairchild ".

 

 

Compañía Ventajas: 

Electrónica Co., LTD. de Shenzhen Ruizhixinda

 Es una compañía con décadas de experiencia en la agencia al por mayor de componentes electrónicos,

Tenemos el poder de la cooperación de la agencia y de la fábrica de las diversas marcas de los componentes.

Almacén de almacenamiento extenso y completo de los componentes electrónicos,

Incluyendo componentes raros, raros, únicos, y ahora populares.

Inventario para los productos originales y nuevos del 100%.

Si usted necesita, éntrenos en contacto con por favor.

Proporcionaremos productos perfectos y de alta calidad.

 

 

Imagen del producto:

Transistor SOIC-8 del canal N del MOSFET de MOS Tube del transistor de FDS6699S

 
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Number modelo :
FDS6699S
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Detalles de empaquetado :
Paquete original
MOQ :
discutible
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram,
Capacidad de la fuente :
10000pcs un mes
Proveedor de contacto
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Productos principales :
Chips CI electrónicos, Chip de memoria de IC, Chip CI del transistor
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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