En casa > Productos de China > Transistores mosfet de canales n

Productos relacionados

amplificador de mosfet

 (293)

tiristor controlado del mosfet

 (1,942)

transistor del mosfet

 (11,491)

amplificador de potencia del mosfet

 (23,567)

circuito del amplificador del mosfet

 (16,184)

mosfet del alto voltaje

 (142,632)

conductor del mosfet del poder

 (37,073)

disipador de calor del mosfet

 (14)

mosfet del poder del hexfet

 (11,231)

pequeño mosfet de la señal

 (5,822)

mosfet de toshiba

 (281)

mosfet del poder del canal de p

 (39,445)

mosfet 60v

 (860)

mosfet del poder del rf

 (42,780)

mosfet de alta velocidad

 (217,183)

mosfet del poder

 (11,218)

mosfet de Fairchild

 (464)

mosfet del canal de p

 (11,334)

mosfet vishay

 (615)

mosfet 600v

 (333)

retransmisión del mosfet

 (133)

módulo del mosfet

 (3,793)

mosfet del canal N

 (11,339)

mosfet del igbt

 (3,888)

mosfet del ir

 (110)

Transistores mosfet de canales n

18,318
Encuentra lo que buscas fuera de 18,318 de alta calidad Transistores mosfet de canales n de los proveedores chinos
Productos relacionados
Transistor 21.1A 49A 8PQFN del Mosfet del canal de FDMS6681Z 30V P
Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor 21.1A 49A 8PQFN del Mosfet del canal de FDMS6681Z 30V P
Capacidad de la fuente：meses 10000pcs/one
MOQ：discutible
Contacta ahora
Microprocesador 650V TO-263-8 del circuito integrado de los transistores IPBE65R115CFD7A de los MOSFETs del canal N
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Microprocesador 650V TO-263-8 del circuito integrado de los transistores IPBE65R115CFD7A de los MOSFETs del canal N
Plazo de expedición：5-8 días del trabajo
MOQ：10
Contacta ahora
MOSFETs HiPerFET del poder del transistor 800V 27A 0,32 Rds del Mosfet del canal N de IXFK27N80Q
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

MOSFETs HiPerFET del poder del transistor 800V 27A 0,32 Rds del Mosfet del canal N de IXFK27N80Q
Capacidad de la fuente：5000pcs por mes
MOQ：2pcs
Contacta ahora
Inversor de alta tensión Fet, fuente de alimentación N canal Mosfet Transistor
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Inversor de alta tensión Fet, fuente de alimentación N canal Mosfet Transistor
Lugar de origen：Guangdong, NC
Detalles del embalaje：Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Contacta ahora
MBRF10200CT Amplificador de potencia profesional con marcación original nueva TO-251 Transistores MOSFET de canal N MBRF10200CT
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MBRF10200CT Amplificador de potencia profesional con marcación original nueva TO-251 Transistores MOSFET de canal N MBRF10200CT
Número de modelo：Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Temperatura de funcionamiento：Estándar, estándar
Contacta ahora
D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet
Wisdtech Technology Co.,Limited

D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet
Número de modelo：D1028UK
Lugar de origen：Reino Unido
Contacta ahora
Planar N Canal MOSFET de alta potencia Transistor de Mosfet Industrial de montaje de superficie
El video
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Planar N Canal MOSFET de alta potencia Transistor de Mosfet Industrial de montaje de superficie
Lugar de origen：China.
Cantidad mínima de pedido：De acuerdo con sus requisitos de pedido
Contacta ahora
Circuitos integrados de los microprocesadores del transistor del diodo del MOSFET FDG6321C del canal P
Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

Circuitos integrados de los microprocesadores del transistor del diodo del MOSFET FDG6321C del canal P
Número de modelo：FDG6321C
Lugar de origen：Original
Contacta ahora
MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
Contacta ahora
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Angel Technology Electronics Co

FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Capacidad de la fuente：500000PCS
MOQ：10pieces
Contacta ahora
Mosfet STH315N10F7-6 100V 60A 315W del canal N de STMicroelectronics H2PAK-6
Shenzhen GS Electronic Technology Co., Ltd. CN

Mosfet STH315N10F7-6 100V 60A 315W del canal N de STMicroelectronics H2PAK-6
Capacidad de la fuente：500 pedazos en existencia
MOQ：1pcs
Contacta ahora
SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101
Número de modelo：Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los mo
Lugar de origen：China
Contacta ahora
NTA4153NT1G IC Componentes electrónicos Transistor MOSFET de señal pequeña
El video
AYE TECHNOLOGY CO., LIMITED

NTA4153NT1G IC Componentes electrónicos Transistor MOSFET de señal pequeña
Número de modelo：NTA4153NT1G
Lugar de origen：Shenzhen, China
Contacta ahora
conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto
El video
Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

conductor lateral compatible del interruptor del Mosfet del canal N de Bldc de la lógica de 450mA 850mA 3.3V alto
Capacidad de la fuente：1000sets/day
MOQ：1 sistema
Contacta ahora
MOSFET del canal N del chip CI IRFP150NPBF TO-247 del semiconductor de 42A 100V
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

MOSFET del canal N del chip CI IRFP150NPBF TO-247 del semiconductor de 42A 100V
Capacidad de la fuente：100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
MOQ：>=1pcs
Contacta ahora
MOSFET del canal N de FQA11N90F109 900V con una corriente máxima del dren de 11A y de un resista bajo del en-estado
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

MOSFET del canal N de FQA11N90F109 900V con una corriente máxima del dren de 11A y de un resista bajo del en-estado
Capacidad de la fuente：1000000pcs
MOQ：50PCS
Contacta ahora
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta tensión.
HK INTERRAA TECHNOLOGY LIMITED

Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta tensión.
Número de modelo：BSC220N20NSFD
Cantidad mínima de pedido：1 piezas
Contacta ahora
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA
Shenzhen Swift Automation Technology Co., Ltd.

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA
Número de modelo：IXTY08N100D2
Lugar de origen：El original
Contacta ahora
2.0 Canales 400W Transistor Amplificador de potencia de la placa 1943 5200 Rear Stage Audio Enhancement
Shenzhen Creatall Electronics Co., Ltd.

2.0 Canales 400W Transistor Amplificador de potencia de la placa 1943 5200 Rear Stage Audio Enhancement
Número de modelo：Los demás elementos
Molde privado：- No, no lo sé.
Contacta ahora
La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta
Número de modelo：JY13M
MOQ：1 set
Contacta ahora
Proveedor de contacto
Requisito de presentación
Ver más