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FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Especificaciones
Number modelo :
BTS282Z E3230
Lugar del origen :
Malasia
MOQ :
10pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Detalles de empaquetado :
paquete estándar
Familia :
Productos semiconductores discretos
Categoría :
Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico)
Serie :
MOSFET del poder
Número de parte bajo :
BTS282Z
Detalles :
MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin automotriz (7+Tab) TO-220 del transporte
Tipo :
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Descripción :
MOSFET 49V 80A del canal N
Paquete :
TO220-7
Montaje del tipo :
A través del agujero
Las existencias :
En stock
Descripción

FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7

MOSFET del poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Su disipación de poder máxima es 300000 mW.

Para asegurar piezas no son dañados por el empaquetado a granel, este producto viene en el tubo que empaqueta para añr un poco más

protección almacenando las piezas flojas en un tubo externo.

Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -40 a 175 °C.

Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.

Especificación:

Categoría
Productos de semiconductor discretos
　
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Infineon Technologies
Serie
TEMPFET®
Paquete
Tubo
Situación de la parte
Obsoleto
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
49 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 240µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
4800 PF @ 25 V
Característica del FET
Temperatura que detecta el diodo
Disipación de poder (máxima)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor
P-TO220-7-230
Paquete/caso
TO-220-7

Clasificaciones ambientales y de la exportación
CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Número de parte BTS282Z E3230
Número de parte bajo BTS282Z
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95

FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7

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Detalle del producto
Number modelo :
BTS282Z E3230
Lugar del origen :
Malasia
MOQ :
10pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Proveedor de contacto
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Años
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Productos principales :
Microprocesador PMIC, CI de circuitos integrados, Componentes electrónicos
Total anual :
80 millions-500 millions
Número de empleados :
20~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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