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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
Especificaciones
Number modelo :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Lugar del origen :
China
MOQ :
10pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Detalles de empaquetado :
paquete estándar
Familia :
Productos semiconductores discretos
Categoría :
Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico)
Serie :
MOSFET HEXFET (óxido de metal)
Número de parte bajo :
IRFB4
Detalles :
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
Tipo :
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Descripción :
Transistores MOSFET N-CH TO220AB
Paquete :
TO220
Montaje del tipo :
A través del agujero
Las existencias :
En stock
Descripción

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FET MOSFET

Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

Descripción:
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB Especificación:

Categoría
Productos semiconductores discretos
　
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante
Tecnologías de Infineon
Serie
HEXFET®
Paquete
Tubo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
3,7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
150 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4340 pF a 25 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF1404


Clasificaciones ambientales y de exportación
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095



IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A

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Number modelo :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Lugar del origen :
China
MOQ :
10pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Proveedor de contacto
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Años
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Productos principales :
Microprocesador PMIC, CI de circuitos integrados, Componentes electrónicos
Total anual :
80 millions-500 millions
Número de empleados :
20~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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