Boquillas de cerámica resistentes a altas temperaturas para temperaturas de proceso de 1200 grados C en la industria LED
Especialmente desarrollado para procesos de fabricación de LED, este producto se fabrica utilizando 99,8% de nitruro de silicio de alta pureza (Si3N4) mediante sinterización a presión de gas de precisión.Con una limpieza ultra alta, resistencia a altas temperaturas y resistencia a la corrosión para cumplir con los estrictos requisitos de los equipos MOCVD.
Equipo MOCVD: Distribución precisa de la fuente de MO y del gas NH3
Crecimiento epitaxial: inyección uniforme de gas en cámaras de reacción
Fabricación de chips: Sistemas de suministro de gas de protección
Proceso de envasado: Atomización por rociado de fósforo
Equipo de ensayo: Control óptico del gas de inspección
✓ Ultra-alta limpieza: contenido de iones metálicos < 1 ppm
✓ Resistencia a altas temperaturas: soporta temperaturas de proceso de 1200°C
✓ Contaminación cero de gases: no hay emisiones de partículas
✓ Control preciso del caudal: ± 1% de precisión del caudal
✓ Vida útil prolongada: soporta más de 5000 ciclos térmicos
Parámetro | Especificación | Norma de ensayo |
---|---|---|
La pureza material | Si3N4 ≥ 99,8% | El GDMS |
Emisión de partículas | Se aplicarán las siguientes medidas: | Sección F24 |
La rugosidad de la superficie | Ra ≤ 0,05 μm | Las condiciones de los productos |
Deformación térmica | ≤ 0,01 mm@1000 °C | Las demás partidas |
Tolerancia al aburrimiento | ± 0,005 mm | VDI/VDE 2617 |
Adsorción de gas | ≤ 0,01% | Las demás especificaciones |
Preparación del material:
Nano polvo (D50≤0,3μm)
Fresado de bolas sin polvo (sala limpia de la clase 10)
Con un contenido de aluminio superior a 10%, pero no superior a 50%
Presión isostática (200MPa)
Sinterización ultralimpia (entorno de la clase 100)
Trasprocesamiento:
Limpieza del plasma (descontaminación de la superficie)
Limpieza de agua con DI por ultrasonidos
Embalaje:
Envases de doble vacío
Bolsas limpias de clase 4 ISO
️ Instalación: Se requiere una operación de sala limpia de clase 100
Control del gas: utilizar gases de alta pureza al 99,999%
️ Control de temperatura: velocidad de calentamiento ≤ 5°C/min
️ Mantenimiento: prueba de fuga de helio cada 500 horas
Prórroga de la garantía: 18 meses
Prueba de limpieza: prueba de emisión de partículas libres
Respuesta rápida: apoyo técnico de 12 horas
Optimización del proceso: simulación del campo de flujo de gas
P: ¿Cómo garantizar la pureza de la fuente de entrega de MO?
A: Tres salvaguardias:
1 Pasivación del Si de superficie
2 Envases limpios de la clase 100
3 Limpieza con plasma antes de la instalación
P: ¿Cómo manejar el obstrucción de las boquillas?
A: Se recomienda:
• 200W de ultrasonido + limpieza de agua DI
• No hay limpieza mecánica de la varilla
• Disponible un servicio de limpieza profesional
P: ¿Compatibilidad con las diferentes capas epitaxiales?
A: Opciones personalizables:
Estructuras de matriz de agujeros múltiples
Diseños de tamaño de perforación gradual
Configuraciones de ángulo especiales