Especificaciones
Number modelo :
IKW30N60H3
Lugar del origen :
original
MOQ :
10 PC
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
30000 PCS POR SEMANA
Plazo de expedición :
2-3 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
600 PC/caja
Tipo :
transistores de 600V 30A 187W IGBT
Descripción :
Transistores 1200V 80A 187W de IGBT
Paquete :
TO-247
Empaquetado :
Tube&Box
Envío cerca :
DHL \ UPS \ Fedex \ poste \ TNT del ccsme \ de HK
Plazo de ejecución :
1-3 días laborables
Descripción

IKW30N60H3 IK30N60H3FKSA1 IKW75N65ES5 IKW75N65EH5 aisló el transistor bipolar de la puerta

 

Usos

 

•uninterruptiblepowersupplies

•weldingconverters

•converterswithhighswitchingfrequency

Especificaciones

 

Cualidad de producto Valor del atributo
Categoría de producto: Transistores de IGBT
Si
TO-247-3
600 V
1,95 V
- 20 V, + 20 V
60 A
187 W
- 40 C
+ 175 C
Tubo
Corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
Altura: 20,7 milímetros
Longitud: 15,87 milímetros
Anchura: 5,31 milímetros
Peso de unidad: 0,229281 onzas

Descripción

 

HighspeedDuoPack: Withsoft de IGBTinTrenchandFieldstoptechnology, fastrecoveryanti-paralleldiode

IKW30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

EMI baja del transistor de poder de la parada de campo IKW30N60H3 IGBT 600V 30A 187W

Características

                                                                                                              

•verylowVCEsat

•lowEMI

•Verysoft, fastrecoveryanti-paralleldiode

•maximumjunctiontemperature175°C

•qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications

•Pb-freeleadplating; RoHScompliant

•completeproductspectrumandPSpiceModels:

Guía de las compras

                                                                             
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Para las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
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Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.

 

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Proporcionamos a DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y registrado     Envío internacional del correo aéreo.

 

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Le notificaremos por el correo electrónico con orden del número de seguimiento una vez   se envía.

 

Vuelta

garantía

Vuelta

 

Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas dentro de 30   días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y adentro   empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para   envío.

 

Garantía

 

Todas las compras de Retechip vienen con un día 30 de devolución   la política de devoluciones, esta garantía no se aplicará a ningún artículo de dónde   los defectos han sido causados por la asamblea incorrecta del cliente,   fracaso del cliente para seguir las instrucciones, producto   operación de la modificación, negligente o incorrecta

 

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EMI baja del transistor de poder de la parada de campo IKW30N60H3 IGBT 600V 30A 187W

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IKW30N60H3
Lugar del origen :
original
MOQ :
10 PC
Condiciones de pago :
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Capacidad de la fuente :
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Plazo de expedición :
2-3 días del trabajo
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EMI baja del transistor de poder de la parada de campo IKW30N60H3 IGBT 600V 30A 187W
EMI baja del transistor de poder de la parada de campo IKW30N60H3 IGBT 600V 30A 187W
EMI baja del transistor de poder de la parada de campo IKW30N60H3 IGBT 600V 30A 187W

Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Total anual :
5000000-1000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación