IRGP4063DPBF IGW50N60H3 IGP50N60T IKD06N60RA aisló el transistor bipolar de la puerta
Usos
•sistemas de alimentación ininterrumpida
•convertidores de soldadura
•convertidores con alta frecuencia que cambia
Especificaciones
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| TO-247-3 | |
| A través del agujero | |
| 1,2 kilovoltios | |
| 2,05 V | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 80 A | |
| 483 W | |
| - 40 C | |
| + 175 C | |
| Tubo | |
| Corriente de colector continua Ic máxima: | 80 A |
| Corriente de la salida del Puerta-emisor: | nA 600 |
| Tipo de producto: | Transistores de IGBT |
| Peso de unidad: | 1,340411 onzas |
Descripción
TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO DE LA PUERTA CON EL DIODO SUAVE ULTRARRÁPIDO DE LA RECUPERACIÓN

Características
• Tecnología baja del foso IGBT de VCE (ENCENDIDO)
• Pérdidas que cambian bajas
• °C máximo de la temperatura de empalme 175 • cortocircuito SOA de 5 μS • Cuadrado RBSOA • 100% de las piezas probadas para 4X valoró la corriente (ILM) • Coeficiente de temperatura positivo de VCE (ENCENDIDO) • Diodo suave ultrarrápido de Co-Pak de la recuperación • Distribución apretada del parámetro • Paquete sin plomo
Guía de las compras
| Envío | Período de entrega |
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Vuelta garantía |
Vuelta |
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| Garantía |
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