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Convertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC DC
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Especificaciones
Number modelo :
IXTH200N10T
Lugar del origen :
Fábrica original
MOQ :
2pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidad de la fuente :
7000pcs por mes
Plazo de expedición :
días 2-4work
Detalles de empaquetado :
450pcs
Tipo :
Transistores del MOSFET
Descripción :
MOSFET 200 amperios de 100V 5,4 Rds
Envío cerca :
DHL \ UPS \ Fedex
Plazo de ejecución :
días 2-3working
Poder - máximo :
550W
Tiempo de subida :
31 ns
Descripción

Convertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC-DC

Descripción

El solo MOSFET muere, avalancha clasificada, Qg bajo del modo del aumento del canal N

Los MOSFETs del poder de la puerta del foso de IXYS Gen1 se adaptan idealmente para los usos de gran intensidad de la baja tensión,

requerir un R excesivamente bajoDS (ENCENDIDO), permitiendo mismo la disipación de energía baja. Esto, combinado con

la temperatura de empalme de funcionamiento amplia, de -40°C a 175°C, le hace a candidatos convenientes

para los usos del automóvil y otros usos exigentes similares en ambientes duros.

 

Convertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC DCConvertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC DC

Características

• IXYS avanzó el proceso bajo de Qg

• Carga baja y capacitancias de la puerta - más fáciles conducir - una transferencia más rápida

• Paquetes estándar internacionales

• RDS bajo (encendido)

• Clasificado para la transferencia unclamped de la carga inductiva (UIS) valoró

• Los epóxidos que moldean resuelven la clasificación de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

Usos

 

• Convertidores de DC-DC

• Cargadores de batería

• fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo

• Control de motor de CA de los interruptores z de DC

• Controles de la temperatura y de la iluminación

Especificaciones

Cualidad de producto Valor del atributo
Categoría de producto: MOSFET
Si
A través del agujero
TO-247-3
Canal N
1 canal
100 V
200 A
5,5 mOhms
- 55 C
+ 175 C
Aumento
HiPerFET
IXTH200N10
Tubo
Marca: IXYS
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 34 ns
Altura: 21,46 milímetros
Longitud: 16,26 milímetros

 

Guía de las compras

                                                                             
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Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende del abajo   portadores que usted eligió:
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Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
 
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Vuelta
garantía

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Garantía

 

Todas las compras de Retechip vienen con un día 30 de devolución   la política de devoluciones, esta garantía no se aplicará a ningún artículo de dónde   los defectos han sido causados por la asamblea incorrecta del cliente,   fracaso del cliente para seguir las instrucciones, producto   operación de la modificación, negligente o incorrecta

 
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Lugar del origen :
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Chip CI del circuito integrado, Chips CI programables, Chip IC de memoria
Total anual :
5000000-1000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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