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Transistor de poder de STGW80V60DF IGBT 600V 80A 469W para los inversores fotovoltaicos
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Especificaciones
Number modelo :
STGW80V60DF
Lugar del origen :
original
MOQ :
5 PCS
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
60000 PC por día
Plazo de expedición :
2-3 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
600 PC/caja
Tipo :
Serie de la puerta V del foso de los transistores de IGBT
Descripción :
600V 80A 469W
Paquete :
TO-247
Empaquetado :
Tube&Box
Envío cerca :
DHL \ UPS \ Fedex \ poste \ TNT del ccsme \ de HK
Plazo de ejecución :
días 1-3working
Descripción

STGW80V60DF STGW30NC60KD STGP19NC60KD STGF15M65DF2 aisló el transistor bipolar de la puerta

 

Usos

 

• Inversores fotovoltaicos

• Sistema de alimentación ininterrumpida

• Soldadura

• Corrección de factor de poder

• Convertidores muy de alta frecuencia

Especificaciones

Categoría de producto: Transistores de IGBT
TO-247-3
600 V
1,85 V
- 20 V, + 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
Corriente de colector continua Ic máxima: 80 A
Corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 250
Peso de unidad: 1,340411 onzas

Descripción

 

Este dispositivo es un IGBT desarrollado usando una estructura propietaria avanzada de la parada de campo de la puerta del foso. El dispositivo es parte de las series de V de IGBTs, que representan un compromiso óptimo entre la conducción y las pérdidas que cambian para maximizar la eficacia de convertidores muy de alta frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó) y un resultado muy apretado de la distribución del parámetro en una operación que es paralelo a más segura.

Transistor de poder de STGW80V60DF IGBT 600V 80A 469W para los inversores fotovoltaicos

 

Características

                                                                                                              

• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175

• Cola-menos que apaga • VCE (sentado) = 1,85 V (tipo.) @ IC = 80 A

• Distribución apretada de los parámetros

• El ser paralelo a seguro

• Resistencia termal baja

• Diodo antiparalelo de la recuperación suave muy rápida

Guía de las compras

                                                                             
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Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.

 
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Vuelta

garantía

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Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas dentro de 30   días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y adentro   empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para   envío.

 
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Todas las compras de Retechip vienen con un día 30 de devolución   la política de devoluciones, esta garantía no se aplicará a ningún artículo de dónde   los defectos han sido causados por la asamblea incorrecta del cliente,   fracaso del cliente para seguir las instrucciones, producto   operación de la modificación, negligente o incorrecta

 
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Number modelo :
STGW80V60DF
Lugar del origen :
original
MOQ :
5 PCS
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
60000 PC por día
Plazo de expedición :
2-3 días del trabajo
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Chip CI del circuito integrado, Chips CI programables, Chip CI de la memoria
Total anual :
5000000-1000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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