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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.
Especificaciones
Número de modelo :
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Permanente
Formato de la memoria :
FLASH
Tecnología :
FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria :
1Gbit
Organización de la memoria :
el 128M x 8
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
25ns
Tiempo de acceso :
25 ns
Voltagem - Suministro :
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
63-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :
63-TFBGA (9x11)
Descripción

Detalles del producto

85 oC, condensador de uso general de alta ondulación

El tipo TC es un condensador electrolítico de aluminio de uso general de 85 oC, de larga vida útil de 1000 horas y conducido por un eje de plomo, con una corriente de ondulación elevada y adecuado para aplicaciones en equipos electrónicos de consumo..

Lo más destacado

• Propósito general
• Corriente de ondulación alta
• Instalación de bajo perfil

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteToshiba Semiconductor y almacenamiento
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieBenandTM
EmbalajeEnvases
Cuadro de paqueteSe aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de alta precisión.
Capacidad de memoria1G (128M x 8)
Tipo de memoriaEEPROM - NAND
Velocidad25 días
Formatos de memoriaEEPROM - en serie

Descripciones

FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND Flash paralelo 3.3V 1G-bit
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

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Detalle del producto
Número de modelo :
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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