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IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Especificaciones
Número de modelo :
IS42S32800J-7BLI
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
SDRAM
Tamaño de la memoria :
256Mbit
Organización de la memoria :
8M x 32
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
143 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
-
Tiempo de acceso :
5,4 ns
Voltagem - Suministro :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
90-TFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :
90-TFBGA (8x13)
Descripción

Detalles del producto

Resumen de las actividades

ISSIS 64Mb DRAM sincrónica IS42S32200 está organizada como 524.288 bits x 32 bits x 4 bancos para un mejor rendimiento.Todas las señales de entrada y salida se refieren al borde ascendente de la entrada del reloj.

Descripción general
La SDRAM de 64 Mb es una memoria CMOS de alta velocidad de acceso aleatorio dinámico diseñada para funcionar en sistemas de memoria de 3,3 V que contienen 67,108Configuran internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz sincronizada.777El banco de 216 bits está organizado en 2.048 filas por 256 columnas por 32 bits.

Características

• Frecuencia del reloj: 166, 143 MHz
• Completamente sincronizado; todas las señales se refieren a un borde positivo del reloj
• Banco interno para el acceso/precarga de la fila de escondites
• Fuente de alimentación única de 3,3 V
• Interfaz LVTTL
• Largura de la ráfaga programable 1, 2, 4, 8, página completa
• Secuencia de explosión programable: Secuencial/Interleave
• Modos de actualización automática
• 4096 ciclos de actualización cada 64 ms
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• latencia del CAS programable (2, 3 horas)
• Capacidad de lectura/escritura rápida y de lectura/escritura rápida
• Terminación del estallido por comando de parada del estallido y precarga
• Disponibilidad de temperaturas industriales
• Paquete de 400 milímetros de 86 pines TSOP II

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete Las demás:
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de la caja de carga de las máquinas de la categoría 90
Capacidad de memoria 256M (8M x 32)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 143 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

Memoria SDRAM IC de 256 Mb (8M x 32) paralelo a 143 MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Chip de DRAM SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90 pin TFBGA
Se trata de una serie de dispositivos que se utilizan para la obtención de datos de seguridad y de seguridad.
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IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

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Detalle del producto
Número de modelo :
IS42S32800J-7BLI
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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