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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
Especificaciones
Número de modelo :
MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
SDRAM-DDR2
Tamaño de la memoria :
256Mbit
Organización de la memoria :
el 16M x 16
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
267 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
15ns
Tiempo de acceso :
500 picosegundos
Voltagem - Suministro :
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
Las demás partidas de la partida 84
Paquete de dispositivos del proveedor :
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensay
Descripción

Detalles del producto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
Embalaje
Cuadro de paqueteLas demás partidas de la partida 84
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 85 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensayo de alta potencia
Capacidad de memoria256M (16M x 16)
Tipo de memoriaDDR2 SDRAM
Velocidad3.75ns
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 267 MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
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Número de modelo :
MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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