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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Especificaciones
Número de modelo :
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas
Tamaño de la memoria :
16Mbit
Organización de la memoria :
el 1M x 16
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
-
Tiempo de acceso :
25 ns
Voltagem - Suministro :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento :
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
42-BSOJ (0,400", ancho de 10,16 mm)
Paquete de dispositivos del proveedor :
42-SOJ
Descripción

Detalles del producto

Descripción

El ISSIIS41LV16100B es 1,048, 576 x 16 bits de alto rendimiento CMOS Dynamic Random Access Memories. Estos dispositivos ofrecen un acceso de ciclo acelerado llamado EDO Page Mode.024 accesos aleatorios dentro de una sola fila con un tiempo de ciclo de acceso tan corto como 20 ns por palabra de 16 bits.

Características

• Entradas y salidas compatibles con TTL; E/S de tres estados
• Intervalo de actualización:
Modo de actualización automática: 1,024 ciclos /16 ms
¢ Solo RAS, CAS antes de RAS (CBR) y oculto
• Descripción de la norma JEDEC
• Fuente de alimentación única: 3,3 V ± 10%
• Byte Write y Byte Read operación a través de dos CAS
• Rango de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponible sin plomo

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteEl ISSI
Categoría de productosChips de circuito integrado
Serie-
EmbalajeEl tubo
Cuadro de paqueteLos productos de la sección 4 del presente Reglamento se clasifican en el anexo II del Reglamento (CE) n.o 1272/2008 de la Comisión.
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor42-SOJ
Capacidad de memoria16M (1M x 16)
Tipo de memoriaEl número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas
Velocidad50 ns
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

Memoria DRAM-EDO IC de 16 Mb (1M x 16) paralelo 25ns 42-SOJ
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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

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Número de modelo :
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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