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CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Tecnologías Infineon
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Tecnologías Infineon
Especificaciones
Número de modelo :
El número de unidades de producción será el siguiente:
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
SRAM
tecnología :
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
Tamaño de la memoria :
72Mbit
Organización de la memoria :
los 4M x 18
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
600 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
-
Tiempo de acceso :
-
Voltagem - Suministro :
1.1V ~ 1.3V
Temperatura de funcionamiento :
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor :
El número de unidades de producción es el siguiente:
Descripción

Detalles del producto

Descripción funcional

El CY7C401 y el CY7C403 son FIFOs asíncronos de primera entrada y primera salida organizados como 64 palabras de cuatro bits.Tanto el CY7C403 como el CY7C404 tienen una función de activación de salida (OE).

Características

• 64 x 4 (CY7C401 y CY7C403) 64 x 5 (CY7C402 y CY7C404) Memoria de primera entrada y primera salida de alta velocidad (FIFO)
• Procesado con CMOS de alta velocidad para una velocidad/potencia óptima
• Tasa de transmisión de datos de 25 MHz
• Tiempo de filtración de burbujas de 50 ns 25 MHz
• Extensible en ancho y/o longitud de las palabras
• Fuente de alimentación de 5 voltios ± 10% de tolerancia, tanto comercial como militar
• Entradas y salidas asíncronas independientes
• Interfaz compatible con TTL
• Función de activación de salida disponible en CY7C403 y CY7C404
• Capaz de soportar descargas electrostáticas superiores a 2001 V
• Pin compatible con la MMI 67401A/67402A

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Se aplicarán las siguientes medidas:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.1 V ~ 1.3 V
Envase del producto del proveedor El número de unidades de producción es el siguiente:
Capacidad de memoria 72M (4M x 18)
Tipo de memoria Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
Velocidad 600 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SRAM - IC de memoria QDR IV síncrona de 72 Mb (4M x 18) paralelo a 600 MHz 361-FCBGA (21x21)
Sincronización de chip SRAM Single 1.3V 72M-bit 4M x 18 361-pin FCBGA Tray
Sincronización de SRAM con SRAM
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CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Tecnologías Infineon

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Detalle del producto
Número de modelo :
El número de unidades de producción será el siguiente:
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Tecnologías Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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