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IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
Especificaciones
Número de modelo :
Se aplican las siguientes medidas:
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
SDRAM-DDR2
Tamaño de la memoria :
1Gbit
Organización de la memoria :
los 64M x 16
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
400 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
15ns
Tiempo de acceso :
400 picosegundos
Voltagem - Suministro :
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
84-TFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :
84-TWBGA (8x12.5)
Descripción

Detalles del producto

Características

• Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Compatible con el pasado con 1.5V
• Las velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 933 MHz
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
• latencia de CAS programable
• Latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga programable: 4 y 8
• Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
• Interruptor de luz en el aire
• Auto Actualización (ASR)
• Temperatura de auto-refresco (SRT)
• Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamiento de la matriz parcial
• Pin de restablecimiento asíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
• OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
• ODT dinámico (terminación en el momento de morir)
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escribir nivelación
• Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
• Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Dispositivos de almacenamiento
RoHS Detalles
Marca del producto El ISSI
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Memoria		 DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, conforme a la normativa ROHS, FBGA-84 Tecnología de Micron Inc El uso de la tecnología de la información es un requisito básico para la evaluación de los resultados de la evaluación.
MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4205M4205M4205M4205M4205M4205 M4205M4205 M4205 M4205 M4205 M4205
Memoria		 DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, conforme a la normativa ROHS, FBGA-84 Tecnología de Micron Inc El uso de la tecnología de la información en el ámbito de la seguridad de los datos es un requisito esencial para la evaluación de la seguridad de los datos.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM ALTA, 0.80 MM PITCH, libre de plomo, TWBGA-84 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Memoria		 DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM ALTA, 0.80 MM PITCH, libre de plomo, TWBGA-84 Solución Integrada de Silicio Inc. Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos.

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 1Gb (64M x 16) paralelo 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 pin TW-BGA
la memoria DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
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Número de modelo :
Se aplican las siguientes medidas:
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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