DDR3 SDRAM
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Características
• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• Entrada/salida de empuje/puja de 1,5 V con terminación central
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• Tardancia de lectura del CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 0°C a 95°C
- 64 ms, 8192 ciclos de actualización de 0°C a 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
• Escribir el nivel
• Registro multipropósito
• Calibración del controlador de salida