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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.
Especificaciones
Número de modelo :
MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
SDRAM - LPDDR móvil
Tamaño de la memoria :
512Mbit
Organización de la memoria :
el 16M x 32
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
200 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
15ns
Tiempo de acceso :
5 ns
Voltagem - Suministro :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
90-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :
90-VFBGA (8x13)
Descripción

Detalles del producto

Dispositivos móviles de baja potencia DDR SDRAM

Características

• VDD/VDDQ = 1,70 1,95 V
• Estrobo bidireccional de datos por byte de datos (DQS)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) en tubería; dos accesos de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con los datos de READ; centro alineado con los datos de WRITE
• 4 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscaras de datos (DM) para enmascarar datos de escritura; una máscara por byte
• Largomas de ráfaga programables (BL): 2, 4, 8 o 16
• Se admite la opción de precarga automática simultánea
• Modos de actualización automática y autoactualización
• Entradas compatibles con LVCMOS de 1,8 V
• Autoactualización compensada por la temperatura (TCSR)
• Autoactualización de matriz parcial (PASR)
• Desactivación profunda (DPD)
• Registro de lectura de estado (SRR)
• Fuerza de accionamiento de salida seleccionable (DS)
• Capacidad para detener el reloj
• 64 ms de actualización, 32 ms para la temperatura del automóvil

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete90 VFBGA
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedorLas medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Capacidad de memoria512M (16M x 32)
Tipo de memoriaDispositivos de almacenamiento de datos
Velocidad200 MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR móvil de 512 Mb (16M x 32) paralelo a 200 MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.

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Número de modelo :
MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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