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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.
Especificaciones
Número de modelo :
AS4C2M32SA-6TCN
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
COPITA
Tecnología :
SDRAM
Tamaño de la memoria :
64Mbit
Organización de la memoria :
2M x 32
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
166 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
2ns
Tiempo de acceso :
5,5 ns
Voltagem - Suministro :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento :
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
86-TFSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Paquete de dispositivos del proveedor :
86-TSOP II
Descripción

Detalles del producto

Descripción funcional

La AS4C256K16E0 es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de 4 megabits de alto rendimiento organizada en 262.144 palabras por 16 bits.El AS4C256K16E0 está fabricado con tecnología CMOS avanzada y diseñado con técnicas de diseño innovadoras que resultan en alta velocidad, muy baja potencia y amplios márgenes de funcionamiento a nivel de componentes y sistemas.

Características

• Organización: 262.144 palabras × 16 bits
• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 7/10/10/10 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 500 mW máximo (AS4C256K16E0-25)
- En espera: 3,6 mW máximo, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescarse
- 512 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 8 ms
- Actualización o autoactualización de RAS únicamente o de CAS antes de RAS
- La opción de actualización automática está disponible sólo para dispositivos de nueva generación.
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 400 mil, 40 pines de SOJ
- 400 mil, 40/44-pin TSOP II
• Fuente de alimentación de 5 V
• Corriente de cierre > 200 mA

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 86-TFSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Las condiciones de los productos de la categoría 1
Capacidad de memoria 64M (2M x 32)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 166MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

IC de memoria SDRAM de 64 Mb (2M x 32) paralelo a 166 MHz 5.5ns 86-TSOP II
La memoria DRAM es una memoria SDRAM de 64M.3.3V 166MHz, 2M x 32
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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

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Detalle del producto
Número de modelo :
AS4C2M32SA-6TCN
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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