Especificaciones
Número de modelo :
W29N01HVSINA
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Permanente
Formato de la memoria :
FLASH
Tecnología :
FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria :
1Gbit
Organización de la memoria :
el 128M x 8
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
25ns
Tiempo de acceso :
25 ns
Voltagem - Suministro :
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
48-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)
Paquete de dispositivos del proveedor :
48-TSOP
Descripción

Detalles del producto

Descripción general

El W29C040 es una memoria flash de 4 megabits y 5 voltios de modo CMOS organizada como 512K ́8 bits.No se requiere un VPP de 12 voltios.La arquitectura única de la célula del W29C040 da como resultado operaciones de escritura (borrado/programa) rápidas con un consumo de corriente extremadamente bajo (en comparación con otros productos de memoria flash de 5 voltios comparables).) El dispositivo también se puede borrar y programar mediante programas EPROM estándar.

Características

· Operaciones únicas de escritura (borrado y programación) de 5 voltios
· Operaciones de escritura de páginas rápidas
- 256 bytes por página
- Ciclo de escritura de páginas (borrado/programa): 5 ms (típico)
- Tiempo de ciclo efectivo de byte-escritura (borrado/programa): 19,5 ms
- Opcional de escritura de datos protegidos por software
· Operación de borrado rápido de chips: 50 ms
· Dos bloques de arranque de 16 KB con bloqueo
· Ciclos de escritura de páginas (borrado/programa): 50K (típico)
· Tiempo de acceso de lectura: 70/90/120 nS
· Retención de los datos durante diez años
· Protección de datos de software y hardware
· Bajo consumo energético
- Corriente activa: 25 mA (tipo)
- Corriente de espera: 20 mA (típico)
·Tiempo de escritura (borrado/programa) automático con generación interna de VPP
· Detección del final de la escritura (borrado/programa)
- Un poco de cambio
- Encuestas de datos
· Dirección y datos bloqueados
· Todas las entradas y salidas son directamente compatibles con TTL
· Pinouts de ancho de byte estándar de JEDEC
· Paquetes disponibles: DIP de 32 pines y 600 mil, TSOP y PLCC

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 48-TFSOP (0,488", 12,40 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en el anexo IV.
Capacidad de memoria 1G (128M x 8)
Tipo de memoria El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga
Velocidad 25 días
Formatos de memoria El flash.

Descripciones

FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-pin TSOP-I
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W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica

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Número de modelo :
W29N01HVSINA
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación