Especificaciones
Número de modelo :
El número de unidades de producción de las que se trate se determinará en función de las característ
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :
Volátil
Formato de la memoria :
SRAM
Tecnología :
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
Tamaño de la memoria :
18Mbit
Organización de la memoria :
1M x 18
Interfaz de la memoria :
En paralelo
Frecuencia de reloj :
250 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :
-
Tiempo de acceso :
-
Voltagem - Suministro :
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Envase / estuche :
165-LBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :
165-FBGA (13x15)
Descripción

Detalles del producto

Descripción funcional

Las CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18 y CY7C1315KV18 son SRAM sincrónicas de 1.8 V, equipadas con arquitectura QDR II. La arquitectura QDR II consta de dos puertos separados:el puerto de lectura y el puerto de escritura para acceder a la matriz de memoriaEl puerto de lectura tiene salidas de datos dedicadas para soportar operaciones de lectura y el puerto de escritura tiene entradas de datos dedicadas para soportar operaciones de escritura.La arquitectura QDR II tiene entradas de datos y salidas de datos separadas para eliminar por completo la necesidad de "revolver" el bus de datos que existe con los dispositivos de E/S comunes.

Características

■ Puertos de datos de lectura y escritura independientes
¢ Apoya las transacciones concurrentes
■ Reloj de 333 MHz para un ancho de banda elevado
■ Explosión de cuatro palabras para reducir la frecuencia del bus de direcciones
■ Interfaces de doble velocidad de datos (DDR) tanto en los puertos de lectura como en los de escritura (transferencia de datos a 666 MHz a 333 MHz)
■ Dos relojes de entrada (K y K) para un cronometraje DDR preciso
¢ La SRAM sólo utiliza bordes ascendentes
■ Dos relojes de entrada para los datos de salida (C y C) para minimizar la desviación del reloj y las discrepancias de tiempo de vuelo
■ Los relojes de eco (CQ y CQ) simplifican la captura de datos en sistemas de alta velocidad
■ Bus de entrada de direcciones múltiplexado único, cerraduras de direcciones para puertos de lectura y escritura
■ Selección de puertos separados para la ampliación de la profundidad
■ Escrituras sincronizadas con cronometraje interno
■ QDR® II funciona con una latencia de lectura de 1,5 ciclos cuando DOFF está declarado ALTO
■ Funciona de manera similar al dispositivo QDR I con una latencia de lectura de 1 ciclo cuando DOFF está declarado BAJO
■ Disponible en configuraciones ×8, ×9, ×18 y ×36
■ Coherencia completa de los datos, proporcionando los datos más recientes
■ VDD del núcleo = 1,8 V (± 0,1 V); VDDQ de entrada/salida = 1,4 V a VDD
Apoya tanto el suministro de 1.5 V como 1.8 V de I/O
■ Disponible en paquete FBGA de 165 bolas (13 × 15 × 1,4 mm)
■ Se ofrece en paquetes libres y no libres de Pb
■ Buffers de salida HSTL con accionamiento variable
■ Puerto de acceso de prueba compatible con JTAG 1149.1
■ PLL para la colocación precisa de datos

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie CY7C1313KV18
El tipo Sincronizado
Embalaje Envases
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 165-LBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.
Capacidad de memoria 18M (1M x 18)
Tipo de memoria Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
Velocidad 250 MHz
Tiempo de acceso 0.45 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 1 M x 18
Alimentación de corriente máxima 440 mA
Válvula de alimentación 1.9 V
Válvula de alimentación 1.7 V
Cuadro de paquete Se trata de la FBGA-165.
Frecuencia máxima del reloj 250 MHz
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria
La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 El ciprés semiconductor El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 es el siguiente:
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.
Memoria
La RAM SRAM QDR, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 también se utiliza para la memoria de memoria. El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en función de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria
La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 El ciprés semiconductor El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 será el siguiente:

Descripciones

SRAM - IC de memoria QDR II síncrona de 18 Mb (1M x 18) paralela a 250 MHz 165-FBGA (13x15)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-pin FBGA Tray
SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM
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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

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Número de modelo :
El número de unidades de producción de las que se trate se determinará en función de las característ
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
En stock
Tiempo de entrega :
3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :
Bolsa antistática y caja de cartón
Proveedor de contacto
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación