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Equipo del semiconductor

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Horno de crecimiento de cristales de alta calidad PVT LPE HT-CVD método de crecimiento de cristales simples

Venta en caliente!

Horno de crecimiento de cristales de alta calidad PVT LPE HT-CVD método de crecimiento de cristales simples

Número de modelo：Horno para el crecimiento de cristales Sic

Lugar de origen：China

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El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas

Venta en caliente!

Equipo del semiconductor

El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza métodos PVT, Lely TSSG y LPE para crecer cristales de gran tamaño de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas

Número de modelo：Horno para el crecimiento de cristales Sic

Lugar de origen：China

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Horno de crecimiento de cristais de zafiro método CZ Horno de Czochralski produce cristales de zafiro de alta calidad

Venta en caliente!

Equipo del semiconductor

Horno de crecimiento de cristais de zafiro método CZ Horno de Czochralski produce cristales de zafiro de alta calidad

Número de modelo：Fuego de crecimiento de cristales de zafiro

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Cámara VIS-NIR CCD Contour-IR Contour-M Cámara digital de 400-1700nm Cámara multispectral

Número de modelo：CCD de la cámara VIS-NIR

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

VIS-NIR cámara digital CMOS del infrarrojo cercano CONTOUR-IR cámara multispectral 400-1700nm

Número de modelo：CMOS de la cámara VIS-NIR

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Modulador de fase de niobato de litio de banda múltiple de 40 GHz LNP6118 1310 nm-1550 nm

Número de modelo：Modulador de fase de niobato de litio LNP6118

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Máquina de perforación con láser Perforación de corte con láser de precisión espesor 0,01-1 mm

Número de modelo：Máquina de perforación por láser

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Máquina de corte por láser de vidrio de gran formato Máquina de corte de vidrio plano Equipo de corte de alta velocidad con alta precisión

Número de modelo：Cortadora del laser de cristal

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Compresor de aire centrífugo con suspensión magnética 45%-100% con conversión de frecuencia de imán permanente

Número de modelo：Compresor de aire centrífugo con suspensión magnética

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Horno de cristal de zafiro método de crecimiento de burbujas kyropoulos y equipo de crecimiento

Número de modelo：Horno de cristal de zafiro kyropoulos

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Furo de cristalización de zafiro ky kyropoulos proceso de crecimiento de espuma cristal de zafiro 200 kg 400 kg

Número de modelo：Horno de cristal de zafiro kyropoulos

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Máquina de perforación láser de alta precisión con alta eficiencia de procesamiento de micro agujeros longitud de onda 1064nm

Número de modelo：Máquina de perforación láser de alta precisión

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Partes de mecanizado de precisión para perforadores láser de mesa pequeña con apertura micrométrica

Número de modelo：Máquina de perforar láser de mesa pequeña

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Máquina de corte de precisión láser de vidrio, procesamiento de vidrio, sistema CNC láser UV

Número de modelo：Máquina de corte de precisión por láser de vidrio

Lugar de origen：porcelana

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Equipo del semiconductor

Horno automático de recocido rápido de semiconductores de doble cavidad compatible con equipos de tratamiento térmico de obleas de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas 200-1300 °C

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Equipo del semiconductor

Resistencia de crecimiento del horno de cristal Ingot de calentamiento de alta temperatura 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas

Objetivo:：para el horno de crecimiento de cristal único de SiC de 6 8 12 pulgadas

Rango de temperatura:：900 ∼ 3000 °C

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Equipo del semiconductor

Sic horno de síntesis de materias primas 50 kg preparación de alta pureza de cristal Sic

Dimensiones (L × W × H):：4000 x 3400 x 4300 mm o hacer a medida

Temperatura máxima del horno:：2400℃

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Equipo del semiconductor

Método PVT del horno de crecimiento de Sic 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas bajo consumo de energía

Rango de temperatura:：900 ~ 3000 °C

Fuente de alimentación de calefacción:：Pmax=40Kw, frecuencia entre 8 y 12KHz;

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Equipo del semiconductor

Máquina de corte de alambre de diamante de precisión de guiado de corte de barras de cristal de Sic

Objetivo:：Máquina de cortar alambre de diamante

Tamaño del equipo:：2500x2300x2500 ((L x O x H)

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Equipo del semiconductor

Máquina cuadrada de doble estación de silicio monocristalino de 6/8/12 pulgadas con burr ≤ 0,5 mm de alta precisión ± 0,05 mm

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