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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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8
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shanghai, shanghai
Desde 2013
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Oblea del GaAs
Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio
Número de modelo:
ZnO
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
Substrato de GGG, substrato del cristal del granate GGG Gd3Ga5012 del galio del gadolinio
Número de modelo:
Oblea de GGG
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
Laalo3 substrato, substrato del cristal del aluminato del lantano de la oblea del arseniuro de galio
Número de modelo:
ZnO
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
titanato cuadrado del estroncio del substrato Srtio3 de 10X10m m pequeño para la ventana de cristal óptica
Número de modelo:
ZnO
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
pulgada de diámetro 50.8m m de la oblea cristalina 2 de InAs de la oblea del arseniuro del indio del grueso 500um
Número de modelo:
Oblea de InAs
MOQ:
10pcs
Contacta ahora
Oblea del GaAs
Diámetro 50.8m m oblea del arseniuro de galio de 2 pulgadas para el substrato del semiconductor
Número de modelo:
GaAs-001
MOQ:
5pcs
Contacta ahora
Oblea del GaAs
Tipo aislador del diámetro 150m m de la oblea del Gaas del método de VGF semi - para la microelectrónica
Número de modelo:
GaAs-3inch
MOQ:
10pcs
Contacta ahora
Oblea del GaAs
N - Mecanografíe a oblea GaAs del arseniuro de galio los substratos del solo cristal 2 - 6 pulgadas
Número de modelo:
GaAs-3inch
MOQ:
5pcs
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Oblea del GaAs
Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura
Número de modelo:
GaAs-4inch
MOQ:
5pcs
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Oblea del GaAs
El lado doble pulió los microprocesadores cristalinos del substrato de la oblea 1sp 2sp 10X10m m GGG de Semicondutor
Número de modelo:
Oblea de GGG
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
el N-tipo S de 3inch 76.2m m dopó la oblea del arseniuro de galio para la microelectrónica
Capacidad de la fuente:
100pcs/month
MOQ:
5pcs
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Oblea del GaAs
tipo substratos del método N de 6inch VGF del GaAs 2 grados de las obleas de 675um SSP
Capacidad de la fuente:
500pcs/month
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
tipo substratos del grado N de la prueba de la investigación de las obleas de 3inch VGF GaAs del GaAs
Capacidad de la fuente:
500pcs/month
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
El Si dopó el tipo sin impurificar de los substratos 2inch N del arseniuro de galio de la oblea del GaAs
Capacidad de la fuente:
400pcs/month
MOQ:
10PCS
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Oblea del GaAs
N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs
Plazo de expedición:
1-4weeks
MOQ:
1pc
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Oblea del GaAs
óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate
Capacidad de la fuente:
500PCS/Month
MOQ:
5cs
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Oblea del GaAs
solo Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N tipo de 2inch
Capacidad de la fuente:
500PCS/Month
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
tipo substratos del método P del crecimiento de 6Inch VGF del GaAs de las obleas del GaAs
Capacidad de la fuente:
500PCS/Month
MOQ:
10pcs
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Oblea del GaAs
estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m
Capacidad de la fuente:
500PCS/Month
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Oblea del GaAs
tipo tipo de los substratos DSP N del arseniuro de galio de las obleas de 4inch GaAs de P
Capacidad de la fuente:
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