• Tecnología de células de nivel único
• Interfaz NAND FLASH abierta ((ONFI) 1.0 Compatible
• La tensión de la fuente de alimentación es de 2,7 V ~ 3,6 V.
• ARREA de celdas de memoria (con repuesto)
  • Tamaño de la página: x8 3.3V: (2K+128spare) bytes
  • Tamaño del bloque: x8 3.3V: (128K+8Kspare) bytes
  • Tamaño del dispositivo: 2048 bloques
• Página leída / Tiempo del programa
  • Tiempo de lectura aleatorio (tR): 30 segundos (máximo)
  • Tiempo de acceso secuencial:3.3v - 25ns (min)
  • Programa de página: 300us (tipo)
• Eliminación de bloque
  • Tiempo de borrado del bloque: 3,5 ms (tipo)
• SET de comandos
  • ONFI1.0 Conforme con el conjunto de comandos
  • Leer el identificador único
• Seguridad
  • Área de OTP
  • Número de serie (identificador único)
  • Protección no volátil
• La firma electrónica
  • 1er ciclo: Código del fabricante
  • 2o ciclo: Código del dispositivo
  • 3er ciclo: número de chip interno, tipo de célula, número de páginas programadas simultáneamente, programa intercalado, caché de escritura
  • Cuarto ciclo: tamaño de página, tamaño de bloque, organización, tamaño de repuesto, tiempo de acceso en serie
  • Quinto ciclo: ECC, información sobre varios planos
• La seguridad de la información
  • 50,000 Ciclos de programación / borrado ((con 4 bits de ECC por 512 bytes)
• La información de los Estados miembros
  • 10 años
• Temperatura de funcionamiento
  • Para uso comercial (0 °C ~ 70 °C)
• Opción de CHIP ENABLE no se trata
  • Interfaz sencilla con microcontroladores
• Opción de paquete
  • Paquete libre de Pb
  • La velocidad de salida de los motores de las máquinas de la serie B será de:

La NAND FLASH se ofrece con una fuente de alimentación VCC de 3,3 V y con interfaz de E/S x8.La memoria se divide en bloques que se pueden borrar independientemente por lo que es posible preservar los datos válidos mientras que los datos antiguos se borran. El tamaño de la página para x8 es (2048 +spare) bytes.

Para extender la vida útil de los dispositivos flash NAND, la implementación de un ECC es obligatoria.Esta función permite la descarga directa del código del dispositivo de memoria flash NAND por un microcontrolador, ya que las transiciones CE# no detienen la operación de lectura. Los dispositivos tienen una función Read Cache que mejora el rendimiento de lectura para archivos grandes.los dispositivos cargan los datos en un registro de caché mientras los datos anteriores se transfieren a los búferes de E/S para su lectura.En las operaciones multiplano, los datos de la página pueden leerse a 25 ns de tiempo de ciclo por byte. Los pines de E/S sirven como puertos para la entrada de comandos y direcciones, así como para la entrada/salida de datos.Esta interfaz permite una reducción del número de pines y una fácil migración hacia diferentes densidadesLos comandos, datos y direcciones se introducen de forma asíncrona utilizando pines de control CE#, WE#, ALE y CLE.El controlador de programa / borrado en el chip automatiza todas las lecturas, programación y eliminación de funciones, incluida la repetición de pulsos, cuando sea necesario, y la verificación interna y el margen de datos.Un pin WP# está disponible para proporcionar protección de hardware contra el programa y borrar operacionesEl pin de salida R/B# (buffer de drenaje abierto) señala el estado del dispositivo durante cada operación.El uso de una salida de drenaje abierto permite que los pines Ready / Busy de varias memorias se conecten a una sola resistencia de arranqueEn un sistema con múltiples memorias los pines R/B# pueden conectarse todos juntos para proporcionar una señal de estado global. The Reprogram function allows the optimization of defective block management — when a Page Program operation fails the data can be directly programmed in another page inside the same array section without the time consuming serial data insertion phase. También se admite la copia de multiplano. Se permite la lectura de datos después de la lectura de copia (tanto para casos de un solo plano como de varios planos).Las operaciones del programa de caché y del programa de caché multiplano mejoran el rendimiento de programación mediante la programación de datos utilizando el registro de cachéLos dispositivos están disponibles en el paquete TSOP48 (12 x 20 mm) y vienen con las siguientes características de seguridad:que es un área de acceso restringido en la que se pueden almacenar permanentemente datos/códigos sensibles.?? Número de serie (identificador único), que permite la identificación única de los dispositivos.Estas características de seguridad están sujetas a un NDA (acuerdo de confidencialidad) y sonPara obtener más información, póngase en contacto con su oficina de ventas más cercana.

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus requisitos.