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2Mbit 10ns chips de memoria Sram 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI
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Especificaciones
Número de modelo :
CY7C1011DV33-10ZSXI
Lugar de origen :
El TWN
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
T/T, Western Union
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Detalles del embalaje :
T/R
fabricante: :
INFINEON
Categoría de producto: :
La SRAM
Tamaño de la memoria: :
2 Mbit
Organizaciones: :
128 k x 16
Paquete/caso: :
TSOP-44
Sensible a la humedad: :
Sí
Serie: :
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Cantidad del paquete de fábrica: :
675
Descripción
2Mbit de memoria RAM estática de alto rendimiento COMS memoria de acceso aleatorio estática CY7C1011DV33-10ZSXI
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Fabricante Infineón
Categoría de productos La SRAM
Tamaño de la memoria 2 Mbit
Organizaciones 128 k x 16
Envase / estuche El TSOP-44
Sensible a la humedad - ¿ Qué?
Serie El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Cantidad de embalaje de fábrica 675
Características clave
  • Pin y función compatibles con CY7C1010CV33
  • Velocidad máxima: tAA = 10 ns
  • Baja potencia activa: ICC = 90 mA a 10 ns
  • La potencia de espera de CMOS baja: ISB2 = 10 mA
  • 2.0 V retención de datos
  • Apagado automático si se desactiva la opción
  • Entradas y salidas compatibles con TTL
  • Fácil expansión de memoria con características CE y OE
  • Disponible en los paquetes SOJ de 36 pines y TSOP II de 44 pines sin Pb
Descripción funcional

El CY7C1010DV33 es una RAM CMOS estática de alto rendimiento organizada como 256 K palabras por 8 bits.y conductores de tres estados.

La escritura al dispositivo se realiza tomando las entradas Chip Enable (CE) y Write Enable (WE) LOW.Los datos en los ocho pines de E/S (de E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (de A0 a A17).

La lectura desde el dispositivo se realiza tomando Chip Enable (CE) y Output Enable (OE) BAJO mientras se fuerza Write Enable (WE) ALTO.el contenido de la ubicación de la memoria especificada por los pines de dirección aparecerá en los pines de E/S.

Especificaciones técnicas
Tiempo de acceso 10 ns
Tipo de interfaz En paralelo
Rango de tensión de alimentación De 3 V a 3,6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C a +85 °C
Estilo de montaje DSM/SMT
Imágenes del producto
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Detalle del producto
Número de modelo :
CY7C1011DV33-10ZSXI
Lugar de origen :
El TWN
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
T/T, Western Union
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Proveedor de contacto
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Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2022
Productos principales :
Array de puertas programables de campo FPGA, Unidad del microcontrolador de MCU, Sistema SOC en el chip
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Active Member
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