Especificaciones
Número de modelo :
CY7C1019DV33-10VXI
Lugar de origen :
El TWN
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Detalles del embalaje :
T/R
fabricante: :
INFINEON
Categoría de producto: :
La SRAM
Tamaño de la memoria: :
1 Mbit
Organizaciones: :
128 k x 8
Paquete/caso: :
SOJ-32
Sensible a la humedad: :
Serie: :
CY7C1019DV33
Cantidad del paquete de fábrica: :
1150
Descripción
Memoria de acceso aleatorio estática CMOS de alto rendimiento CY7C1019DV33-10VXI
Especificaciones del producto
Fabricante Infineón
Categoría de productos La SRAM
Tamaño de la memoria 1 Mbit
Organizaciones 128 k x 8
Envase / estuche El SOJ-32
Sensible a la humedad - ¿ Qué?
Serie Se aplicará el procedimiento siguiente:
Cantidad de embalaje de fábrica 1150
Características clave
  • Compatible con los pines y las funciones de CY7C1018CV33 y CY7C1019CV33
  • Velocidad máxima: tAA = 10 ns
  • La potencia activa baja: ICC = 60 mA @ 10 ns
  • La potencia de espera de CMOS baja: ISB2 = 3 mA
  • 2.0 V Conservación de datos
  • Apagado automático cuando se deshabilita
  • CMOS para una velocidad/potencia óptima
  • Potencia central/pinout de tierra
  • Fácil expansión de memoria con opciones CE y OE
  • Disponible en paquetes de 32 pines de 400 millas de ancho moldeado SOJ sin Pb, 32 pines TSOP II y 48 bolas VFBGA
Descripción funcional

El CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 131.072 palabras por 8 bits.un activador de baja salida (OE)Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando se deshabilita.

La escritura al dispositivo se realiza tomando las entradas Chip Enable (CE) y Write Enable (WE) LOW.Los datos en los ocho pines de E/S (de E/S0 a E/S7) se graban en la ubicación especificada en los pines de dirección (de A0 a A16).

La lectura desde el dispositivo se realiza tomando Chip Enable (CE) y Output Enable (OE) BAJO mientras se fuerza Write Enable (WE) ALTO.el contenido de la ubicación de la memoria especificada por los pines de dirección aparecerá en los pines de E/S.

Imágenes del producto
1Mbit COMS Chip de memoria de acceso aleatorio estático CY7C1019DV33-10VXI 1Mbit COMS Chip de memoria de acceso aleatorio estático CY7C1019DV33-10VXI
Embalaje y transporte

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus necesidades.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, citamos dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excepto los fines de semana y días festivos).

¿Cuál es su plazo de entrega?

Por lo general, entre 7 y 15 días para los lotes pequeños y unos 30 días para las grandes cantidades, dependiendo del volumen del pedido y de la temporada.

¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica con depósito del 30% y pago del 70% T/T antes del envío.

¿Cuál es el modo de transporte?

Disponible por mar, aire o entrega expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

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1Mbit COMS Chip de memoria de acceso aleatorio estático CY7C1019DV33-10VXI

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Número de modelo :
CY7C1019DV33-10VXI
Lugar de origen :
El TWN
Cantidad mínima de pedido :
1
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Proveedor de contacto
1Mbit COMS Chip de memoria de acceso aleatorio estático CY7C1019DV33-10VXI
1Mbit COMS Chip de memoria de acceso aleatorio estático CY7C1019DV33-10VXI
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Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2022
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Active Member

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