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Especificaciones
Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
+/- 200 nA
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
86 A
Paladio - disipación de poder: :
357 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
3 KILOVOLTIOS
Envase / estuche: :
Las instrucciones de acceso a los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas
Temperatura máxima de funcionamiento: :
+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta: :
+/- 25 V
Configuración: :
No casado
Voltado de saturación del colector emisor: :
2,7 V
Fabricante: :
IXYS
Descripción :
Transistores IGBT de alta tensión de alta ganancia BIMOSFET
Descripción
El IXBF55N300, de IXYS, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Detalle del producto
Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
+/- 200 nA
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
86 A
Paladio - disipación de poder: :
357 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
3 KILOVOLTIOS
Proveedor de contacto
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Años
shenzhen
Desde 2013
Productos principales :
Chip analógico, Diodos de TVS supresores ESD, Bolsas de regalo DrawString
Total anual :
1.000.000.00-30.000.000.00
Número de empleados :
15~25
Nivel de certificación :
Active Member
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