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IRG7PH50K10DPBF
IRG7PH50K10DPBF
Especificaciones
Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
nA 100
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
90 A
Paladio - disipación de poder: :
400 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
Las demás:
Envase / estuche: :
TO-247AC-3
Temperatura máxima de funcionamiento: :
+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta: :
+/- 30 V
Embalaje: :
El tubo
Configuración: :
No casado
Voltado de saturación del colector emisor: :
2,4 V
Fabricante: :
IR / Infineon
Descripción :
Transistores IGBT 1200V UltraFast Discreto IGBT
Descripción
El IRG7PH50K10DPBF, de IR / Infineon, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Detalle del producto
Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
nA 100
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
90 A
Paladio - disipación de poder: :
400 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
Las demás:
Proveedor de contacto
IRG7PH50K10DPBF

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Años
shenzhen
Desde 2013
Productos principales :
Chip analógico, Diodos de TVS supresores ESD, Bolsas de regalo DrawString
Total anual :
1.000.000.00-30.000.000.00
Número de empleados :
15~25
Nivel de certificación :
Active Member
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