Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
+/- 250 nA
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
80A
Paladio - disipación de poder: :
283 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
650 V
Envase / estuche: :
TO-3P-3
Temperatura máxima de funcionamiento: :
+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta: :
+/- 30 V
Configuración: :
No casado
Voltado de saturación del colector emisor: :
1,6 V
Fabricante: :
STMicroelectrónica
Descripción :
Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie HB 650 V, 40 A de alta velocidad