Corriente de fuga del emisor de la puerta: :
nA 100
Categoría de productos: :
Transistores IGBT
Estilo de montaje: :
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C: :
40 A
Paladio - disipación de poder: :
125W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo: :
Las demás:
Envase / estuche: :
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento: :
+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta: :
20 V
Voltado de saturación del colector emisor: :
1,9 V
Fabricante: :
Tecnologías Infineon
Descripción :
Transistores IGBT 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC