| Nombre de producto: PD57018-E |
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| Fabricante: STMicroelectronics |
Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF) |
| Polaridad del transistor: Canal N |
Tecnología: Si |
| Corriente Identificación-continua del dren: 2,5 A |
voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V |
| Fuente del En-dren del Rds en resistencia: 760 mOhms |
Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz |
| Aumento: DB 16,5 |
De potencia de salida: 18 W |
| Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C |
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C |
| Estilo de la instalación: SMD/SMT |
Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Paquete: Tubo |
Marca: STMicroelectronics |
| Modo del canal: Aumento |
Configuración: Solo |
| Transconductancia delantera - minuto: 1 S |
Altura: 3,5 milímetros |
| Longitud: 7,5 milímetros |
Sensibilidad de humedad: Sí |
| Disipación del Paladio-poder: 31,7 W |
Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF |
| Serie: PD57018-E |
Cantidad que embala de la fábrica: 400 |
| Subcategoría: MOSFETs |
Tipo: MOSFET del poder del RF |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V |
Anchura: 9,4 milímetros |
| Peso de unidad: 3 g |
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