Especificaciones
Number modelo :
PD57018-E
MOQ :
1000
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
5k-10k por día
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Paquete: QFN
Tipo :
circuito integrado
D/c :
2021+
Frecuencia - transferencia: :
Estándar
De potencia de salida :
18 W
Temperatura de funcionamiento mínima :
- 65 C
Descripción
Nombre de producto: PD57018-E Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
Fabricante: STMicroelectronics Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF)
Polaridad del transistor: Canal N Tecnología: Si
Corriente Identificación-continua del dren: 2,5 A voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V
Fuente del En-dren del Rds en resistencia: 760 mOhms Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz
Aumento: DB 16,5 De potencia de salida: 18 W
Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
Estilo de la instalación: SMD/SMT Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4
Paquete: Tubo Marca: STMicroelectronics
Modo del canal: Aumento Configuración: Solo
Transconductancia delantera - minuto: 1 S Altura: 3,5 milímetros
Longitud: 7,5 milímetros Sensibilidad de humedad: Sí
Disipación del Paladio-poder: 31,7 W Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF
Serie: PD57018-E Cantidad que embala de la fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETs Tipo: MOSFET del poder del RF
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V Anchura: 9,4 milímetros
Peso de unidad: 3 g  

 

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Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)

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PD57018-E
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1000
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5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Paquete: QFN
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Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
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